SK 海力士最近因其 1c DRAM 模組實現的令人印象深刻的成品率而登上頭條新聞，鞏固了其在內存技術領域的強者地位。
SK海力士在1c DRAM技術上取得突破，重奪DRAM市場領先地位
這項進步具有特別重要的意義，因為業界將重點轉向高頻寬記憶體 4 (HBM4) 模組的開發，預計這將開啟運算能力的新時代。改進的技術可望提高一系列應用的處理速度和效率。
目前，We海力士的10nm第六代DRAM成品率已達80%-90%左右。這標誌著該公司較先前報導的 2024 年下半年 60% 的良率有了實質的飛躍。雖然該公司的主要重點仍然是提高 HBM4 的產量，但「基於 1c」的 DDR5 記憶體解決方案可能不會在近期引入市場。不過，消費者可以期待看到 HBM4 中實現的先進 DRAM 技術，特別是備受期待的 HBM4E 版本，它有望帶來更大的效能提升。
與此同時，競爭對手三星一直在開發自己的 1c DRAM 模組；然而，該公司在實現有競爭力的收益率方面面臨挑戰。報告表明他們正在重新評估其策略以提高其 1c DRAM 產品的性能。相較之下，We海力士處於領先地位，並將成為第一家開始量產HBM4技術的製造商，從而擴大這個充滿活力的市場的競爭差距。
展望未來，DRAM 技術的快速進步，尤其是以 We Hynix 為代表的領先技術的進步，預示著運算領域的一個變革時期。這對於高效能運算應用和資料中心的影響是巨大的，速度、效率和能源消耗都有可能得到提升。
發佈留言