SK Hynix 推出首款 HBM4 技術,採用 16-Hi 堆疊、2.0 TB/s 頻寬和台積電邏輯晶片

SK Hynix 推出首款 HBM4 技術,採用 16-Hi 堆疊、2.0 TB/s 頻寬和台積電邏輯晶片

SK海力士在台積電北美技術研討會上自豪地向大眾展示了其創新的高頻寬記憶體(HBM4)技術。本次活動也展示了各種其他記憶體解決方案,彰顯了 We Hynix 在 AI 記憶體發展的領導地位。

革命性的HBM4技術:功能與未來計劃

新推出的 HBM4 記憶體擁有令人印象深刻的規格,包括 48 GB 的容量和驚人的 2.0 TB/s 頻寬,以及 8.0 Gbps 的 I/O 速度。由於 We Hynix 的目標是在 2025 年下半年實現量產,我們可能會在今年年底開始見證其融入商業產品。這使得 We Hynix 成為目前公開展示 HBM4 技術的獨家供應商。

SK海力士HBM4技術

重要的是,這項尖端標準有望被納入 NVIDIA 的 GB300「Blackwell Ultra」AI 集群,特別是在 NVIDIA 準備透過其 Vera Rubin 計畫過渡到 HBM4 時。

沒有任何

此外,We Hynix 正在推進基於較新的 1c DRAM 標準的高效能伺服器模組。這些發展將速度提升至 12, 500 MB/s 的卓越水平,展現了公司對創新的承諾。

其中的亮點包括 MRDIMM 系列,其速度為 12.8 Gbps,容量為 64 GB、96 GB 和 256 GB; 64 GB 和 96 GB 容量的 RDIMM 模組速度為 8 Gbps;以及 256 GB 3DS RDIMM。

憑藉這些顯著的進步,We Hynix 顯然為記憶體技術的新時代奠定了基礎,鞏固了其作為半導體產業關鍵參與者的地位。

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