Facebook 上發現第二代 3Gb A-Die 記憶體；可達到 7200 MT/s 的原生 JEDEC 速度
Facebook 上最近曝光了第二代 3Gb A-Die 記憶體晶片，其標籤為 X021，零件代碼為「AKBD」。根據 @unikoshardware 的見解，這個新名稱表明其將繼承現有的 3Gb M-die 版本，而後者一直是早期 DDR5 記憶體模組的主要驅動力。
SK海力士採用了系統化的命名規則，EB、GB和HB等組合分別對應JEDEC規定的4800、5600和6400 MT/s的速度。遵循這一邏輯，「KB」標識的引入表明即將推出的記憶體預計速度將達到7200 MT/s，凸顯了DDR5技術的進步。
這項進展與英特爾的策略路線圖相呼應，因為 Arrow Lake Refresh 和 Panther Lake 處理器都計劃支援高達 7200 MT/s 的 DDR5 速度，這比目前 Raptor Lake 的 DDR5-5600 和 Arrow Lake 的 DDR5-6400 標準有了顯著提升。這表明 A-Die 晶片有可能成為為下一代英特爾 CPU 設計的高效能記憶體套件的支柱。
然而，一位用戶提出了關於該模組結構的一個關鍵問題。疑似8層PCB設計可能會影響記憶體高速運行時的穩定性。儘管We Hynix的這些初始樣品展示了全新的A-Die IC，但8層PCB在保持8000 MT/s以上的穩定性方面通常會面臨挑戰，這主要是由於訊號完整性和功率傳輸方面的限制。
相比之下，效能更高的 DDR5 RAM 套件通常採用 10 層甚至 12 層 PCB，這些 PCB 可提供更清晰的訊號路徑，這對於實現更高的記憶體速度至關重要。一些發燒友已經展示了超越 12, 000 MT/s 閾值的能力，有些甚至最近正式突破了 13, 000 MT/s。為了充分發揮 We Hynix 全新 A-Die “AKBD” 晶片的潛力，製造商可能需要部署這些先進的 PCB 技術。
| 規格 | 細節 |
|---|---|
| 模具類型 | SK Hynix 3Gb A-Die（第二代） |
| 標記 | X021 |
| 零件代碼 | AKBD |
| 原生速度（推測） | 7200 MT/s（JEDEC） |
| 平台相容性 | 箭湖刷新，豹湖 |
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