SK 海力士公佈了一項雄心勃勃的技術路線圖，該路線圖延伸至 2029 年以後，其中包括 HBM5、GDDR7-next、DDR6 和革命性的 400+ 層 4D NAND 解決方案方面的進步。
SK海力士下一代DRAM和NAND路線圖：2029-2031年的關鍵發展
We AI Summit 2025 預覽－DRAM 與 NAND 路線圖（2026-2028）
在2026-2028年之前，海力士計畫推出16層HBM4和8/12/16層HBM4E配置的HBM4，以及客製化的HBM解決方案。此舉旨在顯著提升記憶體效能。
這項創新的客製化HBM解決方案將HBM控制器重新分配到晶片基體上，優化了各種IP組件（例如協議）的整合。這項策略性措施使GPU和ASIC製造商能夠增加可用於運算的矽片面積。此外，這種客製化設計可望降低介面功耗，進而提高效率。威海力士正與台積電合作，朝著這新一代HBM解決方案邁進。
NAND技術的發展與未來方向
在 NAND 方面，我們海力士推出了 PCIe Gen5 eSSD 等標準解決方案，其容量超過 245 TB+，採用 QLC 技術，以及 PCIe Gen6 eSSD/cSSD、UFS 5.0 和 AI 增強型「AI-N」NAND 解決方案。
圖形和記憶體技術的未來展望
即將推出的GDDR7-next顯示獨立顯示卡技術發展有差距。 GDDR7的初期推廣速度將限制在30-32 Gbps，最高可達48 Gbps。考慮到該標準的預期潛力，其滿載的廣泛應用可能要到2027-2028年左右才能實現。
此外，DDR6 計劃於 2029 年至 2031 年間推出，這意味著傳統桌上型電腦和筆記型電腦用戶在未來幾年內不應期望 DDR5 以上的記憶體會提升。
高頻寬快閃記憶體有望滿足下一代個人運算技術中新興的人工智慧推理需求，其在現實世界中的實際應用和有效性將令人關注。
全端人工智慧記憶體陣容
– 目前的記憶體解決方案優先考慮計算，但未來正在轉向使記憶體的作用多樣化，以提高計算資源利用率並解決人工智慧推理瓶頸。
隨著人工智慧市場的發展趨勢是提高效率和最佳化，HBM 向客製化產品的演進將滿足特定的客戶需求，從而最大限度地提高 GPU 和 ASIC 的效能，同時降低資料傳輸功耗。
– “AI-D”DRAM 的研發體現了公司致力於提升相容性和效能的決心。這包括：
- 「AI-D O（最佳化）」－一種低功耗、高效能的DRAM，旨在降低整體擁有成本並提高營運效率。
- 「AI-D B（突破）」—一種提供超高容量記憶體和靈活分配功能的解決方案。
- 「AI-D E（擴展）」—將 DRAM 應用擴展到機器人、行動和工業自動化領域。
雖然這些創新還需要幾年時間才能實現，但即將到來的進步有望徹底改變科技格局，讓等待成為值得。
新聞來源：Harukaze5719
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