SK海力士將採用名為垂直扇出（VFO）的創新技術，堆疊多達16層DRAM和NAND晶片，從而徹底革新資料處理速度。這項技術進步對於提升各種電子設備的效能至關重要。
VFO 提升資料傳輸效率
根據 ETNews 報導，高頻寬儲存 (HBS) 的成功很大程度上取決於 VFO 封裝技術。這項由微海力士於 2023 年推出的技術，採用直線連接方式而非傳統的弧形引線鍵合，將 DRAM 和 NAND 晶片堆疊在一起。這種連接方式最大限度地減少了資料傳輸損耗，提高了資料傳輸效率，這在生成式人工智慧 (AI) 日益普及的智慧型手機和平板電腦領域尤其重要。
VFO 的優勢十分顯著。透過大幅縮短佈線距離並最大限度地減少訊號傳輸損耗和延遲，VFO 可以實現更多的 I/O 連接。這些改進的結合顯著提升了資料處理效能。 HBS 旨在與整合到裝置邏輯板上的智慧型手機晶片組無縫協作。雖然目前關於支援的系統級晶片 (SoC) 的詳細資訊仍然有限，但預計驍龍 8 Elite Gen 6 Pro 將同時支援 LPDDR6 和 UFS 5.0 技術，使其成為 HBS 的理想選擇。
高頻寬儲存對製造商的成本影響
與高頻寬記憶體 (HBM) 相比，HBS 最顯著的優勢之一是其更低的製造成本。 HBM 需要矽通孔 (TSV) 技術，這意味著需要在晶片上進行物理穿孔，而 HBS 則無需此步驟。因此，HBS 能夠提高生產良率並降低整體成本，這對於希望採用此儲存解決方案的製造商來說極具吸引力。
相較之下，據報道，蘋果計劃在即將推出的設備中使用HBM和TSV，旨在使iPhone本地具備更強大的AI功能。有鑑於此，蘋果已經開始研究HBS作為未來機型的潛在儲存方案也就不足為奇了。
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