行動 DRAM 技術進步提升智慧型手機效能
隨著設備端 AI 應用需求的不斷增長，智慧型手機 DRAM 和記憶體製造商正在積極開發速度更快、效率更高的晶片，以提升效能並緩解現有技術帶來的許多問題。 We 海力士引領了這一潮流，該公司近期在記憶體技術的多個方面都超越了三星。該公司推出了一款創新行動 DRAM，採用突破性的“模塑料”，旨在應對現代智慧型手機面臨的過熱問題。值得一提的是，We 海力士聲稱這款新型記憶體晶片的導熱係數提升了 350%。
應對過熱的技術創新
在某些裝置架構中，行動 DRAM 直接安裝在晶片組晶片上，這在高效能任務中會帶來重大挑戰。在這種情況下產生的過多熱量會導致效能下降，這是大多數智慧型手機製造商都面臨的問題。然而，這種設計選擇之所以受歡迎，是因為它最大限度地提高了空間效率，並透過縮短資料傳輸距離來加速 DRAM 和晶片組之間的資料傳輸。
We Hynix 的產業洞察
We海力士封裝產品開發負責人Lee Gyu-jei表示，高K環氧模塑的使用是其重要的里程碑。 Gyu-jei表示，這項創新解決方案不僅提升了效能，還緩解了旗艦智慧型手機用戶面臨的各種問題。
“這是一項意義深遠的成就，它超越了簡單的性能提升，解決了許多高性能智慧型手機用戶可能遇到的不便。我們致力於憑藉材料技術創新，在下一代移動DRAM市場牢牢確立技術領導地位。”
行動DRAM的未來前景
透過將先進化合物融入傳統的環氧模塑料中，We hynix 顯著提升了熱管理能力。雖然尚未公佈這些先進行動 DRAM 晶片的具體推出時間表，但業內專家推測，到 2026 年，我們有望看到這項技術融入旗艦智慧型手機。
這一發展凸顯了半導體產業的一個更廣泛趨勢，即解決熱限制對於優化越來越依賴人工智慧和高效計算的設備性能至關重要。
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