SK海力士雄心勃勃地計畫推出1c DRAM技術，備受矚目。這項創新方案將提升DDR5和HBM產品的效能標準，讓SK海力士成為記憶體晶片市場的領跑者。
SK海力士利用EUV技術提升下一代DRAM產量與效能
這項策略性舉措預計將顯著增強We海力士在消費級和HBM記憶體領域的產品線。更重要的是，它為下一代DRAM技術的進步鋪平了道路，而下一代DRAM技術很可能將採用高數值孔徑EUV（極紫外光微影）技術。
對於不熟悉極紫外光刻 (EUV) 的人來說，需要注意的是，這項技術涉及複雜的製程。 EUV 工作在精確驅動的 13.5 奈米波長下，旨在透過創建更精細的特徵，同時最大限度地減少對多個圖案化步驟的需求，從而解決複雜的電路挑戰。
1c DRAM 的預期推出，特別是其與 HBM4 的集成，預計在不久的將來帶來顯著的性能提升。
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