SK海力士推出下一代HBM4內存,速度達10 Gbps,效率提升40%,現已全面投產

SK海力士推出下一代HBM4內存,速度達10 Gbps,效率提升40%,現已全面投產

SK海力士宣布其HBM4記憶體研發完成,並已全面投入量產,這一重要進展將使SK海力士在記憶體解決方案領域,尤其是在蓬勃發展的人工智慧領域,佔據領先地位,彰顯其在面向人工智慧的記憶體技術領域的領導地位。

SK海力士推出10 Gbps HBM4記憶體:正在量產

HBM4 的成功開發協助 We 海力士實現量產,進一步鞏固了其致力於推動 AI 驅動未來技術發展的承諾。此舉旨在鞏固 We 海力士在全球 AI 記憶體解決方案領域的領先地位,是其策略性舉措。

白色背景上的 SK 海力士 HBM4 內存晶片帶有兩個金色模組。

公司代表表示:“透過提供符合客戶對性能、能源效率和可靠性期望的產品,我們旨在迅速滿足市場需求,同時增強我們的競爭優勢。”

隨著人工智慧應用和資料處理需求的不斷增長,對高頻寬記憶體的需求也日益凸顯。此外,由於與資料中心營運相關的能源成本不斷上升,電源效率也成為關鍵因素。海力士預計,頻寬更高、功耗更低的HBM4將有效滿足這些不斷變化的客戶需求。

HBM4 憑藉其穩固的量產能力,擁有業界領先的資料處理速度和卓越的能源效率。與上一代產品相比,此記憶體技術整合了 2, 048 個 I/O 端口,頻寬顯著提升了一倍,能源效率也提升了 40% 以上。值得一提的是,海力士預計 HBM4 的部署將使 AI 服務效能提升高達 69%,有效解決資料瓶頸問題,並降低資料中心的電力成本。

白色背景上的 SK 海力士 HBM4 晶片。

作為進一步創新的展示,We hynix 已經超越了 JEDEC 標準 8 Gbps 的運行速度,在其 HBM4 設計中實現了超過 10 Gbps 的顯著速度。

公司發言人強調:「HBM4 標誌著一項關鍵的演進,它超越了 AI 基礎設施的限制,是克服技術障礙的基礎產品。我們的願景是發展成為一家全面的 AI 內存提供商,提供能夠快速滿足各種性能需求的頂級內存產品,以適應 AI 領域的發展。」

此外,We hynix 將市場上久經考驗的先進 MR-MUF 製程與第五代 10 奈米製程(1bnm)結合,大幅降低了量產風險。

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