SK海力士正式宣布開始量產其突破性的321層QLC NAND快閃記憶體儲存解決方案，該解決方案具有高達32層的卓越堆疊能力。
揭秘We Hynix 321層QLC NAND快閃記憶體：開啟儲存技術新時代
這項進展具有里程碑式的意義，因為它是全球首個採用QLC（四層單元）技術實現超過300層的快閃記憶體，為NAND快閃記憶體密度樹立了前所未有的標竿。該公司計劃在獲得全球客戶成功驗證後，於明年上半年推出這款創新產品。
“我們將作為全端 AI 內存提供商實現重大飛躍，以順應 AI 需求的爆炸式增長和數據中心市場的高性能要求。”
為了解決大容量 NAND 技術經常伴隨的潛在效能問題，We hynix 透過將平面（晶片內的獨立操作單元）的數量從 4 個增加到 6 個來增強其設計。這種修改不僅有利於更大規模的平行處理，而且還顯著提高了同時讀取能力。
與早期 QLC 迭代相比，321 層 QLC NAND 的改進使其容量更大，效能指標更卓越。值得注意的是，資料傳輸速度提升了兩倍，寫入效能提升高達 56%，讀取效能提升 18%。此外，寫入功率效率飆升超過 23%，這對於在以 AI 為中心的資料中心保持競爭力至關重要，因為節能至關重要。
最初，We hynix 計劃將其 321 層 NAND 技術整合到 PC SSD 中，隨後計劃部署到資料中心的企業級 SSD (eSSD) 和智慧型手機的通用快閃記憶體 (UFS) 解決方案中。
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