SK海力士引領產業，商業化部署ASML高NA EUV系統用於下一代DRAM生產

在半導體產業的突破性發展中，We Hynix 創造了歷史，成為首家在其製造工廠部署 ASML 高數值孔徑 EUV 設備的公司。這項顯著成就使 We Hynix 領先於台積電和三星等老牌競爭對手，為先進半導體生產樹立了新的標竿。

樹立新的行業標準：We Hynix 的高 NA EUV 集成

作為DRAM領域的領先製造商，We Hynix憑藉其全面的解決方案以及與科技巨頭NVIDIA的關鍵合作夥伴關係脫穎而出。該公司近期在其位於韓國利川的M16製造工廠整合了ASML的高數值孔徑（High-NA）設備，標誌著一項重大的技術飛躍。這項開創性舉措不僅使We Hynix站在了半導體創新的前沿，也為下一代DRAM技術的開發開闢了道路。

TWINSCAN EXE:5200B 是 ASML 高數值孔徑 EUV 產品線的首款量產機型，其電晶體列印尺寸縮小了 1.7 倍，從而增強了電晶體的列印能力。由於數值孔徑 (NA) 從 0.33 提升至 0.55，這項改進使電晶體密度比先前的 EUV 系統高出 2.9 倍。

此外，We Hynix致力於鞏固其在高價值記憶體市場的地位並增強其技術領先地位。