中國依賴過時的深紫外線 (DUV) 技術，尤其是其最大的半導體製造商中芯國際所採用的技術，這使中國相對於美國處於戰略劣勢，而美國則利用了 ASML 的尖端極紫外線 (EUV) 技術。在持續的出口禁令背景下，中國取得先進晶片製造設備受到嚴重限制。因此，中國保持半導體領域競爭力的唯一可行途徑是創新和開發國內晶片製造工具。
SiCarrier：國家支持國內半導體機械的先驅
最近的報告顯示，與華為關係密切的 SiCarrier 公司正在積極致力於創建獨立的 EUV 解決方案，以減少對 ASML 等外國來源的依賴。此項措施得到了中國政府的大力支持，使矽開瑞得以加速其營運和技術的發展。
根據先前通報，利用雷射誘導放電等離子體 (LDP) 技術的客製化 EUV 機器原型預計將於 2025 年第三季開始試生產。雖然目前尚不清楚這些原型是否與 SiCarrier 正在開發的原型相對應，但據報道，該公司專注於多種機器，旨在減少外國競爭對手的影響並增強中國在半導體製造方面的自給自足能力。
深圳市政府的支持進一步增強了矽開瑞的努力，這對於增強公司的創新能力至關重要。目前的發展重點涵蓋晶片製造的各個環節，以 ASML、應用材料、Lam Research 等產業巨頭為標竿。此外，該公司還在推進光刻、化學氣相沉積、測量、物理氣相沉積、蝕刻和原子層沉積技術——這些領域通常由荷蘭、美國和日本的公司主導。
儘管取得了這些進步，SiCarrier 首批原型的實施時間表仍未確定。目前，中芯國際僅實現5奈米製造工藝，這是迄今為止最成熟的光刻技術。然而，大規模量產仍未實現，主要原因是受到現有DUV設備的限制，該設備耗時較長，且會產生大量有缺陷的晶圓，從而增加整體成本。
在矽開利、華為和中國政府的共同努力下，人們謹慎樂觀地認為，中國可能很快就能克服晶片製造技術的現有障礙。
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