據報道，三星正在重新設計其第六代 1c DRAM，旨在提高成品率並在即將推出的 HBM4 製程中確立競爭優勢。
改造 1c DRAM：三星 HBM4 成功的策略舉措
這家韓國技術領導者目前正在評估其 1c DRAM 製程設計，這對於 HBM4 製程的預期成功至關重要。ZDNet Korea最近的見解顯示，自 2024 年下半年以來，三星一直在重新構想其先進的 DRAM 技術。重新設計的目的是促進其即將推出的記憶體解決方案更順利地實現市場整合，特別是考慮到 HBM3 衍生產品面臨的採用挑戰，該產品在 NVIDIA 等公司中遇到了重大障礙。
重新設計的努力源於對三星尖端 DRAM 製程成品率的擔憂，該製程的成品率未達到預期目標。預計成品率將在 60%-70% 左右徘徊，阻礙該公司向量產的轉型。主要挑戰在於1c DRAM晶片的尺寸。儘管三星最初的目標是縮小晶片尺寸以提高產量，但這種關注卻無意中影響了製程穩定性，導致成品率下降。
三星電子已經改變了其 1c DRAM 的設計，以增加其晶片尺寸，並致力於提高產量，目標是在今年年中實現。看來他們專注於下一代記憶體的穩定量產，即使成本更高。
– ZDNet 韓國
三星 1c DRAM 製程的效率是其即將推出的 HBM4 產品的品質和成功的關鍵。鑑於該公司在 HBM3 出現問題後聲譽不佳，三星必須使其 1c DRAM 成果與既定的行業標準保持一致。
儘管三星第六代 DRAM 的最終結果仍存在不確定性，但預測顯示未來幾個月可能會出現進展。如果成功的話，這些進展將為三星 HBM4 在今年年底前實現量產鋪平道路。
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