瀾起科技推出第二代MRCD與MDB晶片組，提升DDR5 MRDIMM記憶體模組效能

瀾起科技是一家總部位於中國的著名半導體設計公司，最近宣布其第二代 MRCD 和 MDB 晶片組的首次樣片成功。這項重大進步將推動記憶體技術領域的創新。

利用瀾起最新的記憶體創新增強效能

新聞稿：在DDR5 多路復用列DIMM (MRDIMM) 技術的關鍵開發中，瀾起科技已成功向全球領先的記憶體製造商提供第二代多路復用列寄存器時脈驅動器(MRCD)和多工列資料緩衝器(MDB) 晶片組樣品。這些尖端晶片組可實現高達 12800 MT/s 的資料速率，為下一代運算架構量身定制記憶體效能的卓越進步。

此次發布正值關鍵時刻，因為資料中心對記憶體頻寬的需求不斷增長，主要是由人工智慧和大數據分析的進步所推動的。 MRDIMM 技術對於滿足這些需求至關重要，尤其是隨著伺服器處理器的核心數量不斷增加。

MRCD 和 MDB 晶片組對於 MRDIMM 模組的運作至關重要，採用獨特的「1+10」緩衝架構。每個 MRDIMM 模組由一個 MRCD 晶片和十個 MDB 晶片組成。在此配置中，MRCD 負責緩衝和重新驅動位址、命令、時脈和控制訊號，而 MDB 晶片則促進記憶體控制器和 DRAM 元件之間的資料傳輸。

這種複雜的架構透過雙倍資料速率技術和時分複用進行了增強，允許以標準速率同時操作兩個記憶體列，從而有效地使整體資料吞吐量加倍。

先前，瀾起科技的第一代MRCD和MDB晶片組支援高達8800 MT/s的資料速率，已經引起了主要記憶體製造商的極大興趣和大量購買。新設計的 Gen2 晶片不僅提高了性能標準，而且達到了 12800 MT/s，比前代晶片顯著提高了 45%。此外，瀾起科技也為記憶體介面和模組提供廣泛的支援解決方案，包括 RCD、DB、CKD、SPD Hub、PMIC 和 TS。

展望未來，瀾起科技計畫於 2024 年第四季開始提供 Gen5 DDR5 RCD (RCD05) 晶片樣品，擴大其全面且業界領先的產品組合。這些創新產品促進了客戶的一站式採購，同時確保跨系統的最佳整合和效能。

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