美光推出首個 1γ DRAM 節點，設計提升 DDR5 效能

美光科技推出基於 10nm 級 DRAM 節點的突破性第六代 DDR5 內存，成為頭條新聞。這一發展使美光科技位居工業和消費市場的前列。

透過美光第六代 DRAM 提高效率和效能

新聞稿：美光科技公司在令人興奮的公告中透露，它已成為業內第一家開始出貨 1γ（1-gamma）第六代 DDR5 內存樣品的公司。這款新一代 DRAM 是為先進的 CPU 量身定制的，將首先分發給特定客戶和生態系統合作夥伴。基於先前在 1α（1-alpha）和 1β（1-beta）節點上的進步，美光將為下一波運算浪潮賦能，涵蓋雲端基礎設施、工業應用以及智慧型手機和智慧汽車等消費性設備和邊緣 AI 技術。

Micron 1γ DRAM 節點的初始部署將利用 16Gb DDR5 DRAM，並逐步將其整合擴展到 Micron 的整個記憶體產品組合中。這項策略舉措滿足了業界對高效能、節能記憶體解決方案日益增長的需求，特別是在人工智慧應用領域。這款 16Gb DDR5 產品擁有高達 9200MT/s 的驚人速度能力，與前代產品相比，速度顯著提高了 15%，功耗降低了 20% 以上。

美光 1γ DRAM 節點為何如此重要

隨著資料中心和網路邊緣人工智慧的興起，對先進記憶體解決方案的需求也激增。美光向 1γ DRAM 節點的轉變解決了其客戶面臨的幾個關鍵挑戰：

增強的效能：基於 Micron 1γ 的 DRAM 增強了效能，使各種記憶體產品具有更高的運算能力，這對於未來的 AI 工作負載至關重要。
節省電力：由於下一代高 K 金屬閘極 CMOS 技術和設計增強，1γ 節點的功耗降低了 20% 以上，從而改善了熱管理。
提高位元密度：利用 EUV 微影技術和創新設計改進，1γ 節點與上一代相比，每晶圓的位數輸出提高了 30% 以上，有助於高效擴展記憶體供應。

美光利用其在多代 DRAM 技術方面的豐富專業知識來開發最佳化的 1γ 節點。這項創新依賴 CMOS 的突破，利用了下一代高 K 金屬閘極技術。這些進步增強了晶體管的性能、提高了速度能力，並且顯著節省了電力並提高了擴展能力。

透過整合尖端的 EUV 光刻技術以及高縱橫比蝕刻技術和創新設計，1γ 節點提供了無與倫比的位密度優勢。在全球多個製造基地開發 1γ 節點進一步加強了美光對技術進步和供應鏈彈性的承諾。

從雲端到邊緣的轉型產品

1γ節點將作為基礎技術，增強美光的整個記憶體產品組合，影響各個領域：

資料中心：基於 1γ 的資料中心 DDR5 記憶體解決方案預計將效能提高高達 15%，同時提高能源效率，從而能夠持續擴展伺服器效能，以優化未來機架部署中的功率和熱設計。
邊緣 AI： 1γ 低功耗 DRAM 解決方案不僅可以增強節能效果，還可以提供更大的頻寬，豐富邊緣 AI 應用中的使用者體驗。
- AI PC： 1γ DDR5 SODIMM 在提高效能的同時降低 20% 的功耗，有效延長電池壽命並提升筆記型電腦的使用者體驗。
- 行動裝置：隨著 1γ LPDDR5X 的推出，美光持續引領行動技術領域，實現卓越的邊緣 AI 應用。
- 汽車： 1γ LPDDR5X 記憶體增強了容量、耐用性和性能，實現高達 9600MT/s 的速度。

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