美光的下一代 HBM4 和 HBM4E 生產時間表
美光科技最近分享了其即將推出的高頻寬記憶體 (HBM) 製程的重大進展，特別是 HBM4 和 HBM4E，表明預計將於 2026 年開始量產。
HBM4 技術的前景
HBM4 標準有望成為記憶體市場的遊戲規則改變者，被譽為 HBM 技術的「聖杯」。這項創新解決方案旨在提供卓越的效能和能源效率，有效為增強人工智慧 (AI) 運算能力奠定基礎。
憑藉堅實的基礎和對成熟 1β 製程技術的持續投資，我們預計美光的 HBM4 將保持上市時間和能源效率領先地位，同時性能比 HBM3E 提高 50% 以上。我們預計 HBM4 將在 2026 年為該行業大量增加。
HBM4E 的開發工作正在與多個客戶順利進行，HBM4E 將緊隨 HBM4。 HBM4E 將透過採用台積電先進的邏輯代工製造工藝，結合為某些客戶定制邏輯基礎晶片的選項，在記憶體業務中引入範式轉移。我們預計這種客製化能力將推動美光科技改善財務表現。
– 微米
創新的包裝方法
HBM4 的突出特點之一是預期將記憶體和邏輯半導體整合在單一封裝內。這項創新可以消除對傳統封裝技術的需求，同時單一晶片的鄰近性預計將顯著提高效能效率。
規格和市場準備情況
美光 HBM4 技術的確切規格尚未完全揭露；然而，初步報告表明，它可能包括堆疊多達 16 個 DRAM 晶片的能力，每個晶片提供 32 GB 的容量，並具有 2048 位元寬介面。該架構標誌著比其前身的重大進步。
採用與未來展望
在市場採用方面，HBM4預計將在NVIDIA的Rubin AI架構和AMD的Instinct MI400系列中發揮至關重要的作用。鑑於對 HBM 技術的需求激增，美光報告稱其產能將於 2025 年達到最佳水平，這預示著該公司和更廣泛的行業前景。
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