最近的報告表明，英特爾的 18A 製程已經實現了與台積電 N2 技術相當的 SRAM 密度水平，這是彰顯英特爾先進半導體能力的重要里程碑。
英特爾 18A 製程和 BSPDN 等創新的意義
隨著英特爾晶片架構的不斷發展，人們對該公司的未來越來越感到樂觀。國際固態電路會議 (ISSCC) 上最近的討論表明，英特爾和台積電在 SRAM 密度方面勢均力敵，並且取得了顯著的進步，這可能會重塑半導體製造的競爭格局。
星期六在@ieee_isscc第 29 次會議上：SRAM
第一篇論文：$TSM 38 Mb/mm2 N2 HD SRAM第二篇論文：$INTC 38 Mb/mm2 18A HD SRAM第三篇論文：@Mediatek 3nm TCAM第四篇論文：@Synopsys 38 Mb/mm2 3nm HD SRAM
這是一場大逃殺。
— 𝐷𝑟。 𝐼𝑎𝑛 𝐶𝑢𝑡𝑟𝑒𝑠𝑠 (@IanCutress) 2025 年 2 月 19 日
當我們深入研究 18A 製程帶來的可能性時，必須強調其突破性創新：背面電源傳輸網路 (BSPDN)。這項開創性的技術將電力傳輸從晶圓的前部轉移到了晶圓的後部，從而提高了電源效率和訊號完整性——這兩者都是現代半導體性能的關鍵因素。
據報道，英特爾 18A 的高密度版本在大型陣列配置中實現了令人印象深刻的 38.1 Mb/mm² 的宏位密度。雖然 SRAM 單元排列的變化可能會影響密度結果，但 18A 製程的前景看起來非常樂觀。然而，監測實際的晶片生產性能，尤其是成品率，對於充分評估這項新技術的有效性至關重要。
同時，台積電在 N2 製程方面也取得了進展，由於轉向全柵環繞 (GAA) 技術，SRAM 密度提高了 12%。高性能 SRAM 的增強表現出密度顯著上升 18%。這項改進的關鍵在於從傳統的 FinFET 轉向 N2「奈米片」結構，從而實現製造過程中更高的客製化和精確度。
台積電與英特爾之間的競爭日益白熱化，半導體創新環境預計將更加激烈。然而，這些進步的最終考驗在於它們與供應鏈的整合和實際的市場表現。
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