最近的報導表明，三星將推出 Galaxy S25 系列的四種變體，而不是預期的三種變體。其中包括一款被稱為「Slim」的全新型號。值得注意的是，即使採用纖薄的設計，Snapdragon 8 Elite 仍將以稍高的頻率運行的性能核心而自豪。然而，基準測試的初步分數揭示了新旗艦產品令人不安的性能方面。
Geekbench 6 結果顯示 Galaxy S25 Slim 的性能好壞參半
Galaxy S25 Slim 的型號為 SM-S937U，將配備 12GB RAM，就像之前洩漏的標準 Galaxy S25 型號一樣。 Snapdragon 8 Elite 包括兩個運行頻率為 4.47GHz 的效能核心，而效率核心的時脈為 3.53GHz。值得注意的是，Galaxy S25 Slim 的內部規格與該系列的其他產品非常一致，但 Galaxy S25 Ultra 除外，它可能提供高達 16GB 的 RAM。
然而，原始規格並不是設備性能的唯一指標。在最新的 Geekbench 6 評估中，Galaxy S25 Slim 在單核得分方面表現出色，但在多核性能方面表現不佳。它的單核得分為 3,005，比 Galaxy S25 之前的成績略有提高，但仍接近誤差範圍。相較之下，多核心得分明顯較低，為 6,945，這引發了人們對此類結果的影響的疑問。纖薄的底盤可能是造成這種性能不佳的原因，因為它可能會導致 Snapdragon 8 Elite 在密集任務下快速升溫和節流。
必須認識到，Geekbench 6 主要測試短暫的性能爆發，而不是持續的能力。我們的初步評估可能會忽略影響 Galaxy S25 Slim 性能的其他因素，尤其是其纖薄的外形。隨著三星為 1 月 22 日正式發布這一新系列做準備，消費者和發燒友都渴望看到所有四款機型的全面性能評估。隨著發布日期的臨近，請繼續關注進一步的更新。
發佈留言