深紫外線（DUV）技術的進步正在顯著影響中國領先半導體製造商中芯國際的發展軌跡。儘管有報告指出中芯國際成功生產5奈米晶圓，但仍面臨生產成本過高、良率不理想等挑戰。這些障礙也對華為產生了不利影響，阻礙了其突破 7nm 生產障礙的努力。
除這些挑戰之外，美國的貿易制裁還限制了 ASML 向任何中國企業供應尖端的極紫外線 (EUV) 微影機。因此，中國工程師被迫依賴國內解決方案，最近的文件表明，這項內部技術的試生產計劃於 2025 年第三季開始。
據報道，創新的 EUV 設備採用雷射誘導放電等離子體 (LDP)，與 ASML 的雷射產生等離子體 (LPP) 有顯著差異。以下部分將探討這種技術變化的涵義。
2026 年可能推出國產 EUV 機器：中國半導體產業的遊戲規則改變者
中國本土 EUV 機器預計將實現量產，這將減少中國對受美國影響的外國公司的依賴，並有可能使中國在半導體市場上獲得競爭優勢。@zephyr_z9和@Ma_WuKong等帳號在社群媒體上發布的圖片展示了華為東莞工廠正在測試的新系統。先前通報，哈爾濱省創新團隊研發出放電等離子體極紫外光刻光源，可產生波長13.5nm的EUV光，精準針對光刻領域。
該試驗系統目前在華為工廠運行，採用 LDP 產生 13.5nm EUV 輻射。這種先進的方法涉及在電極之間蒸發錫，透過高壓放電將其轉化為等離子體，並促進產生所需波長的電子離子碰撞。這種方法與 ASML 的 LPP 技術有何不同？
ASML 的先進機器採用高能量雷射和使用現場可程式閘陣列 (FPGA) 的複雜控制系統。初步報告顯示，華為正在測試的原型機具有更精簡的設計、更低的功耗，降低了製造成本。到目前為止，中芯國際和其他中國公司不得不嚴重依賴過時的 DUV 系統。
傳統光刻工具採用 248nm 和 193nm 的波長，遠遠不如 13.5nm EUV 技術先進。這項限制迫使中芯國際採用多種圖案化技術來實現先進節點，這大大增加了晶圓生產成本並延長了生產時間——這兩種情況結合起來可能會產生高昂的費用。報導稱，中芯國際5奈米晶片的生產成本可能比台積電同等晶片高出50%，這解釋了為什麼這項先進技術尚未得到更廣泛的應用。
目前，華為的努力僅限於其麒麟晶片組的 7nm 工藝，這使得該公司只能進行漸進式改進。隨著內部 EUV 機器的開發，華為有可能縮小與高通和蘋果等競爭對手的差距。然而，必須注意的是，行業趨勢表明，類似的公司經常會遇到重大障礙，阻礙進步。人們希望華為和中國整體能夠克服這些挑戰，成為全球半導體領域的強大參與者。
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