三星 Galaxy S25 Edge 的最新基準測試結果表明，其 Snapdragon 8 Elite 晶片組的性能得到了顯著提升。最初，該晶片組的多核心性能表現不佳，似乎落後於最近的競爭對手。然而，最新的測試表明，Galaxy S25 Edge 現在可以在其類別中有效競爭。
性能顯著提升：Galaxy S25 Edge 多核得分飆升 21.6%
根據 2 月 11 日 Geekbench 6 上最新發布的調查結果，型號為 SM-S937B 的 Galaxy S25 Edge 取得了令人印象深刻的 8, 416 的多核得分。與先前的基準相比，這標誌著超過 21% 的大幅成長。相反，該設備的單核性能有所下降，得分為 2, 806，低於先前記錄的 3, 005。這種差異增加了早期測試可能沒有完全優化 Snapdragon 8 Elite 功能的可能性。
更引人注目的是，三星選擇了 Snapdragon 8 Elite 的超頻版本，其效能核心運行頻率為 4.47GHz，而不是標準的 4.32GHz。鑑於 Galaxy S25 Edge 的時尚設計，該公司可以輕鬆選擇部署標準版本甚至 7 核型號以降低成本。然而，三星似乎致力於為用戶提供卓越的體驗，確保買家感覺他們正在投資頂級旗艦設備。
在規格方面，Galaxy S25 Edge 提供 12GB RAM，三星已將此標準應用於該系列的所有四款即將推出的機型。這些增強的基準測試結果表明 Galaxy S25 Edge 的發布日期即將到來，預計將於 4 月正式發布。雖然這些指標很有希望，但進一步評估該設備在炎熱和潮濕的氣候等惡劣環境下的表現將至關重要。我們將繼續密切關注事態發展。
新聞來源：Geekbench 6
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