AMD Ryzen 7 9800X3D 採用小巧的小晶片設計，並結合了 3D V-Cache，總厚度僅 40-45μm。然而，附加非功能層的累積厚度達到相當大的 750μm，在維持晶片結構完整性方面發揮至關重要的作用。
AMD Ryzen 7 9800X3D 的結構完整性與設計創新
在遊戲效能方面，AMD Ryzen 7 9800X3D 表現強勁。 AMD 以 Ryzen 7 5800X3D 首次推出的突破性 3D V-Cache 技術為基礎，重新定義了其晶片設計的佈局。在最新的迭代中，3D 小晶片位於核心複合晶片 (CCD) 下方，這與先前的型號不同，先前的型號中 3D 快取堆疊在核心上方。這種創新設計不僅降低了工作溫度，還增強了設備的超頻潛力，使 Ryzen 7 9800X3D 在基本時脈設定下實現高達 4.7 GHz 的速度。
根據半導體分析師Tom Wassick 的說法，9800X3D 的 CCD 結構揭示了一個有趣的特徵：存在的大部分矽並沒有發揮功能作用。包括 CCD 和 SRAM 在內的實用層的尺寸分別僅為 7.2μm 和 6μm，整個晶片堆疊的尺寸僅 40-45μm。相較之下，CCD 的總厚度達到約 800μm，這意味著該厚度中的 750μm 由主要為穩定性而設計的非功能層組成。
雖然這些額外的矽不直接參與加工任務，但它在加固整體結構、防止製造或處理過程中損壞方面發揮著至關重要的作用。由於 SRAM 和 CCD 層很薄且相對脆弱，因此使用虛擬矽可以顯著降低與這些精密組件相關的風險。此外，SRAM 矽片在側面額外延伸了 50μm，提供了進一步的支撐。
總體而言，這些非功能層的策略性整合確保了 AMD Ryzen 7 9800X3D 複雜的 3D 晶片架構的可靠性和穩定運作。透過重新配置 CCD 下方 SRAM 的位置，AMD 有效地解決了各種操作挑戰，同時增強了熱管理，最終提供了性能卓越的遊戲 CPU。
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