AMD 公佈最新專利，利用多晶片 DRAM 方法增強記憶體效能，大幅提升 APU 效能

AMD 最近公佈了一項專注於提升 DRAM 性能的創新專利，該專利無需使用更快的 DRAM 晶片，即可顯著提升內存頻寬，並利用了模組邏輯的改進。

AMD 專利無需 DRAM 晶片改良即可大幅提升記憶體頻寬

傳統上，硬體升級本身就存在挑戰，通常需要進行大量的架構修改或重新設計邏輯和半導體技術。然而，AMD 的最新專利引入了一項突破性的概念，即「高頻寬 DIMM」（HB-DIMM），透過實施更簡單但有效的改進，成功地將 DDR5 記憶體頻寬輸出翻倍。 AMD 並非僅專注於 DRAM 製程的進步，而是巧妙地將暫存器/時脈驅動器 (RCD) 與資料緩衝晶片結合，從而顯著提升了記憶體頻寬。

圖 3 所示的電路圖展示了 PLL、PC0 和 PC1 等具有不同資料路徑和速度的元件 — AMD HB-DIMM專利圖

深入探討技術細節，該專利概述了 HB-DIMM 方法如何繞過直接的 DRAM 增強。透過重定時和多路復用等技術，記憶體頻寬從每針 6.4 Gb/s 提升至令人印象深刻的每針 12.8 Gb/s。頻寬翻倍是因為 AMD 利用板載資料緩衝區將兩個常規速度的 DRAM 流合併為一個指向處理器的加速流，從而提升了整體效能。

該技術主要針對人工智慧 (AI) 和類似的頻寬密集型應用而設計。此外，該專利還提出了一種針對加速處理單元 (APU) 和整合式圖形處理單元 (iGPU) 的有趣實現方案。它建議使用雙「記憶體插頭」：一個使用標準 DDR5 PHY，另一個指定為 HB-DIMM PHY。這種混合方法優化了記憶體利用率；更大的記憶體池源自標準 DDR5，而 HB-DIMM 通道則專為高速資料傳輸而設計。