高盛稱中國先進晶片製造業落後西方科技20年

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高盛報告稱，中國光刻機產業落後二十年

投資銀行高盛對中國光刻機產業做出了嚴峻評估：目前中國光刻機產業至少落後美國同業20年。光刻技術是半導體製造的關鍵環節，也是限制中國生產尖端晶片的重大瓶頸。目前最先進的光刻機由荷蘭公司ASML製造，由於這些設備依賴美國零件，美國政府可以有效阻止這些設備銷往中國。

華為是科技業的領導企業，但因與中國軍方的關係，美國制裁限制其從台灣台積電採購晶片。因此，華為被迫從中芯國際採購晶片。此外，制裁限制了中芯國際獲得先進的極紫外線 (EUV) 光刻設備，使其只能生產最高 7 奈米的晶片。

重要的是，這些晶片很可能是使用ASML較老的深紫外線（DUV）設備生產的。中國國內光刻產業難以生產先進的光刻掃描儀，因為它們需要全球採購的零件，主要來自美國和歐洲。高盛表示，這種不足導致中國光刻設備產業比ASML所代表的技術進步落後約二十年。

光刻技術在晶片製造過程中發揮著至關重要的作用，因為它需要將複雜的電路設計從光掩模轉移到矽晶圓上。像 ASML 的 EUV 和高數值孔徑 EUV 掃描器這樣的先進設備能夠轉移更小的電路圖案，從而提升晶片性能。設計完成後，需要經過蝕刻和其他工藝，以達到最終的佈局。

因此，光刻技術在積體電路精密製造中的重要性使其成為晶片生產的主要瓶頸。高盛報告稱，中國光刻技術目前落後的現狀，使其距離與ASML尖端製造流程的水平相當，還需要相當長的時間。

像台灣台積電這樣的產業領導者已經投產先進的3奈米晶片，並正在為2奈米製程做準備。高盛強調：「阿斯麥公司花了20年時間，投入約400億美元的研發資金，才開發出從65納米到3納米以下的技術。」鑑於中國光刻機廠商目前仍停留在65納米水平，在可預見的未來，它們似乎不太可能縮小與西方同行的技術差距。

高盛表示，根據中國企業和 ASML 的路線圖，中國的光刻技術進步落後了 20 年。 pic.twitter.com/ X4Lz5jh7dv

— Ray Wang (@rwang07) 2025年9月1日