驍龍 8 Elite Gen 2 搭載 4.74GHz 性能核心,在三星 Galaxy S26 Edge 上實現令人印象深刻的單核心和多核心性能

驍龍 8 Elite Gen 2 搭載 4.74GHz 性能核心,在三星 Galaxy S26 Edge 上實現令人印象深刻的單核心和多核心性能

隨著高通為9月23日舉行的驍龍峰會做準備,人們對其最新高端晶片驍龍8 Elite Gen 2的興趣也達到了頂峰。最近,它在安兔兔跑分資料庫中取得了令人印象深刻的380萬分,比之前領先的驍龍8 Elite設備高出40.7%,在基準測試資料庫中引起了轟動。這款SoC在三星時尚的Galaxy S26 Edge中得到了特別的體現,並取得了令人矚目的性能成果。儘管如此,它的性能仍有一些細微之處需要考慮,下文將對此進行探討。

性能核心的顯微鏡

型號為 SM-S947U 的 Galaxy S26 Edge 搭載驍龍 8 Elite Gen 2 處理器,單核心和多核心跑分成績分別高達 3393 分和 11515 分。該裝置搭載 Android 16 系統,並採用與上一代 Elite 晶片組類似的「2+6」CPU 架構。值得注意的是,性能核心的理論主頻為 4.74 GHz,而能源效率核心則保持在 3.63 GHz。性能的飛躍很大程度上歸功於高通創新性地過渡到台積電先進的第三代 3 奈米製程(也稱為“N3P”),該過程提升了整體效率,並使晶片組能夠實現更高的處理速度。

Snapdragon 8 Elite Gen 2 在基準測試中亮相,並在 Galaxy S26 Edge 上進行了測試
看看這些分數/圖片來源 – Geekbench

此外,Galaxy S26 Edge 配備 12 GB 運行內存,憑藉卓越的單線程和多線程性能,進一步鞏固了其旗艦級地位。然而,必須強調的是,據報道,六個性能核心的運行頻率僅為 4.00 GHz,並未達到其最大潛能。 Abhishek Yadav分享的見解表明,這一限制可能是三星或高通有意為之,儘管具體原因尚未得到證實。

需要特別注意的是,Geekbench 6 並未針對持續效能評估進行最佳化。因此,以上分數僅代表驍龍 8 Elite Gen 2 的瞬態性能,不一定反映其在散熱限制下的表現。從歷史上看,即使搭載了更強勁的驍龍晶片,三星設備在 Geekbench 6 上的得分也往往低於競爭。隨著更多像 Galaxy S26 Ultra 這樣的裝置加入基準測試,三星裝置的得分有望有所提升。

如需進一步了解,您可以探索Geekbench上的原始基準測試結果。

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