英特爾即將推出的 18A 工藝在半導體行業引起了極大的轟動，藍隊著眼於重新奪回其領導地位。
英特爾18A製程革命性進步：樹立性能新標準
儘管英特爾各部門都面臨挑戰，但在執行長 Pat Gelsinger 領導下的整合設備製造 (IDM) 計畫的推動下，未來前景一片光明。該公司致力於透過垂直供應鏈整合來增強其代工服務，這項努力已開始取得成效。備受期待的 18A 工藝即將推出，其顯著進展已在2025 年 VLSI 研討會上展示。
2025 VLSI 的一些技術亮點
英特爾 18A RibbonFET（GAA）和 PowerVia（BSPDN）- 與英特爾 3 相比，密度擴展超過 30%，性能提升了一個完整的節點
IMEC Advanced Packaging- 正面混合鍵合 250nm 間距和背面透過電介質通孔… pic.twitter.com/y5UD4SALgr
– 波西波西 (@harukaze5719) 2025 年 4 月 20 日
具體揭露的內容強調，英特爾的 18A 製程與英特爾 3 製程相比，密度提高了 30% 以上。這項令人印象深刻的成就歸功於 PowerVia 和背面供電網路 (BSPDN) 等先進技術。效能方面，18A製程在標準ARM核心子塊的基礎上，在1.1伏電壓下速度提升25%，功耗降低36%。提高面積利用率也是一個顯著的優勢，可以實現更有效率的設計並具有更高的密度。
18A 製程的一個引人注目的特點是其「電壓下降」映射，展示了高性能場景下的穩定性。 PowerVia技術的整合顯著增強了電力傳輸的穩定性。支援文件還包括單元庫比較，顯示由於正面釋放了佈線空間，背面供電方式可實現更緊密的單元封裝並提高面積效率。
總體而言，英特爾的 18A 製程是迄今為止最先進的代工節點，隨著良率的提高，人們對其成功推出的期望很高。與台積電等競爭對手相比，18A 製程的 SRAM 密度與台積電的 N2 相當，顯示英特爾正在有效縮小節點能力上的差距。
至於實際應用，我們預計 18A 技術將首先在 Panther Lake SoC 和 Xeon「Clearwater Forest」CPU 中實現。如果英特爾保持其良率動能並逐步實現量產，我們最早可以在 2026 年見證這些創新的首次亮相。
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