在最近的技術巡展中，英特爾的 18A 晶片技術取得了顯著進展，缺陷密度顯著降低。
英特爾18A晶片缺陷密度創歷史新低，達到最佳良率
18A 製造節點是英特爾代工廠迄今為止最關鍵的進展之一。鑑於政界和商界對英特爾製造能力的嚴格審查，這一點尤其重要。藍隊必須透過此次發布提供強大的解決方案。人們對 18A 工藝的更多細節充滿期待，英特爾已確認該工藝已達到迄今為止的最低缺陷密度，並計劃於第四季度開始大規模生產。
缺陷密度的提升對18A節點至關重要，彰顯了其在量產中展現競爭力的潛力。對於不熟悉的人來說，缺陷密度是指在晶片晶圓特定區域內可能導致產品無法正常工作的缺陷數量——這些缺陷會幹擾電晶體、互連線和過孔的運作。更高的缺陷密度會對更大的晶片尺寸造成風險，這對18A節點來說是不利的，尤其是在其面向大規模晶片應用的情況下。
實現歷史最低缺陷密度的重要性怎麼強調都不為過；它是預期良率的關鍵預測指標。隨著時間的推移，對18A節點良率的估計波動很大，一些報告顯示良率低至10%。然而，隨著英特爾致力於提升18A技術的量產，這些低數據已經過時。降低缺陷率至關重要，因為它使「藍色團隊」能夠適應更大的晶片設計，這對於高效能運算（HPC）等領域尤其重要。
雖然缺陷密度是至關重要的指標，但它並不能完全反映18A晶片的實際情況。其他因素，包括參數故障、光罩錯誤和製程裕度，也會影響節點的整體生產能力。儘管如此，英特爾大幅降低缺陷密度，意味著18A晶片有望成為台積電N2和三星SF2等製程的強勁競爭對手。
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