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未來電晶體設計可能會改變半導體製造範式
據英特爾一位董事透露，未來電晶體設計的進步可能會降低高端半導體生產對複雜光刻設備的關鍵需求。目前，ASML 的極紫外線 (EUV) 微影系統是當代晶片製造的基礎，使台積電等公司能夠在矽晶圓上生產極其微小的電路。然而，諸如環柵場效電晶體 (GAAFET) 和互補場效電晶體 (CFET) 等新興設計可能會將焦點轉向後光刻工藝，從而削弱光刻在這些先進製造技術中的作用。
蝕刻在晶片生產中的作用不斷演變
在投資研究平台 Tegus 上分享並透過社群媒體傳播的一段對話中，這位未透露姓名的英特爾董事強調了半導體製造流程的顯著轉變。該董事認為，隨著電晶體設計的演變，先進光刻設備的重要性可能會減弱，蝕刻技術將更加受到重視。雖然 EUV 和高數值孔徑 EUV 微影機經常備受關注——尤其是在出口限制的背景下——但晶片製造不僅包含光刻技術，還包含一系列複雜的步驟。
了解晶片製造工作流程
光刻製程是初始階段，將複雜的圖案壓印到矽片上。此後，沉積和蝕刻等其他關鍵製程也發揮著至關重要的作用。在沉積過程中，各種材料被沉積到矽片上，而蝕刻製程則用於選擇性地去除多餘的材料，以勾勒出形成電晶體和電路所需的圖案。
電晶體技術：GAAFET 和 CFET
英特爾總監強調了 GAAFET 和 CFET 等先進電晶體架構如何減少對傳統微影製程的依賴。 EUV 光刻技術憑藉其在列印微小電路設計方面的高精準度，在 7 奈米及以下晶片製造中發揮關鍵作用。電晶體結構的演變——目前的 FinFET 設計與絕緣基底連接，而新的設計則引入了閘極環繞電晶體的設計——體現了這項技術轉變。
對製造戰略的影響
隨著GAAFET和CFET設計逐漸將電晶體包裹起來，去除多餘的材料變得越來越重要。這種「包裹」方法需要橫向去除材料，從而將重點從單純增強光刻特徵尺寸轉移到改進蝕刻技術。該負責人指出，這種轉變意味著對高數值孔徑EUV光刻機的依賴程度降低，這表明它們的重要性可能不如前幾代對製造7奈米晶片至關重要的EUV光刻機。
這項轉變可能開啟半導體生產的新紀元，屆時無需相應提升光刻能力即可達到垂直和橫向密度。英特爾高層總結道，晶片製造策略的這一演變可能會重新定義產業性能和效率的基準。
英特爾總監解釋了 ASML 為何因 GAA 而舉步維艱，以及轉向 CFET 後也將面臨困境（Tegus 解釋）。訂單流的亮點可能是本世紀末高數值孔徑 (NA) 的採用，或 EUV 多重圖案化技術，但顯然訂單流將高度… pic.twitter.com/ZoRvJJHC2n
— 科技基金 (@techfund1) 2025 年 6 月 16 日
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