美光推出速度最快的 11 Gbps HBM4 模組，並與台積電探討合作開發速度超過 40 Gbps 的 HBM4E 和 GDDR7 內存

美光科技最近宣佈在記憶體市場取得重大進展，推出了有史以來最快的 11 Gbps 高頻寬記憶體 (HBM4) DRAM，同時詳細介紹了他們與台積電合作開發下一代 HBM4E 的計劃。

業界領先的 HBM4 技術和新的合作夥伴關係

在最新的第四季及2025財年財報電話會議上，美光科技公佈了其DRAM和NAND快閃記憶體部門的重要更新。該公司公佈了令人印象深刻的財務業績，本季營收達113.2億美元，較上一季的93.0億美元顯著成長。此外，本財年總營收從251.1億美元飆升至驚人的373.8億美元。為了進一步提升業績，該公司正專注於下一代記憶體解決方案。

美光公司關於 2026 財年策略的簡報幻燈片 — 美光公司 2026 財年的 DRAM/NAND 策略與細節。

談到HBM4的開發，美光科技表示，其12-Hi HBM4 DRAM解決方案能夠滿足產業日益增長的效能需求。該公司已成功交付其高性能HBM4的首批樣品，其引腳速度超過11 Gbps，頻寬高達2.8 TB/s。美光科技聲稱，其HBM4記憶體將在性能和效率方面引領市場，超越所有競爭對手。

我們欣喜地註意到，我們的HBM份額預計將再次成長，並在今年第三季與我們整體DRAM份額保持一致，實現了我們幾個季度以來一直討論的目標。即使HBM4頻寬和接腳速度的效能要求不斷提高，美光科技的HBM4 12-hi仍能持續支援客戶平台的升級。

我們近期已向客戶交付了 HBM4 樣品，其業界領先的頻寬超過 2.8 TB/s，引腳速度超過 11 Gbps。我們相信，美光科技的 HBM4 性能超越所有競技 HBM4 產品，不僅擁有業界領先的效能，還擁有一流的能源效率。我們久經考驗的 1 伽瑪 DRAM、創新高效的 HBM4 設計、自主研發的先進 CMOS 基礎晶片以及先進的封裝創新，是這款一流產品的關鍵優勢所在。

Sanjay Mehrotra – 美光公司總裁兼首席執行官

除了 HBM4，美光還討論了即將推出的 HBM4E 記憶體。與完全自主研發的 HBM4 不同，這款新記憶體將與台積電合作製造基礎邏輯晶片。 HBM4E 的標準版和定製版均在開發中，預計將於 2027 年上市。

對於 HBM4E，美光科技將提供標準產品以及基礎邏輯晶片的客製化選項。我們正與台積電合作，為標準和客製化產品生產 HBM4E 基礎邏輯晶片。客製化需要與客戶密切合作，我們預計採用客製化基礎邏輯晶片的 HBM4E 將比標準 HBM4E 帶來更高的毛利率。我們的 HBM 客戶群已擴大，目前包括六家客戶。

我們幾乎與所有客戶都簽訂了 2026 年 HBM3E 供應量絕大部分的定價協議。我們正在與客戶積極討論 HBM4 的規格和產量，並預計在未來幾個月內達成協議，售出 2026 年 HBM 供應量的剩餘部分。

Sanjay Mehrotra – 美光公司總裁兼首席執行官

美光 GDDR7 記憶體詳情 — 美光的 GDDR7 記憶體具有速度快、遊戲效能強等特性。

此外，美光還重點介紹了其與 NVIDIA 合作在資料中心引入 LPDDR 記憶體的舉措，並以此將自身定位為此類記憶體的獨家供應商。美光也宣布了 GDDR7 記憶體的改進，旨在滿足人工智慧和客戶端應用的需求，預計未來型號的速度將超過 40 Gbps。目前，NVIDIA 是唯一採用 GDDR7 技術的 GPU 製造商，其第一批產品引腳速度為 32 Gbps。

美光科技與 NVIDIA 密切合作，率先在伺服器領域採用 LPDRAM。自 NVIDIA 在其 GB 產品系列中推出 LPDRAM 以來，美光科技一直是資料中心 LPDRAM 的唯一供應商。除了在 HBM 和 LP5 領域的領先地位外，美光科技的 GDDR7 產品也佔據有利地位，這些產品旨在提供超快的性能，引腳速度超過 40 Gbps，並具有一流的能效，可滿足某些未來 AI 系統的需求。

Sanjay Mehrotra – 美光公司總裁兼首席執行官

最後，美光 1γ DRAM 節點的令人興奮的進展正在進行中，其成熟良率顯著快於前幾代產品——速度提高了約 50%。該公司在 G9 NAND 生產方面也進展順利，在資料中心推出 PCIe Gen6 SSD 鞏固了其領先地位，並承諾推出更多基於 16Gb 1γ DRAM 的創新解決方案。

來源和圖片