
最近有關於 AMD 即將推出的第 6 代 EPYC Venice CPU 的洩密消息,該 CPU 採用新的 Zen 6 和 Zen 6C 核心架構設計,可能具有驚人的 256 個核心。
AMD EPYC Venice CPU:Zen 6 和 Zen 6C 架構上最多可配備 256 個內核
自從 AMD 確認這些處理器將採用台積電尖端的 2nm 製程技術以來,圍繞 AMD 第六代 EPYC Venice CPU 系列的討論愈演愈烈。有關這些高性能晶片的見解於 2022 年開始浮出水面,並在 2023 年全年持續不斷地更新,引起了行業利益相關者的期待。
根據先前的報道,Venice CPU 將有兩個版本,與 Zen 5 和 Zen 4 系列的配置相呼應。這些將包括標準 Zen 6 變體和更緊湊的 Zen 6C 變體,兩者均可相容於 SP7 和 SP8 插槽。 SP7 插槽將滿足高階應用的需求,而 SP8 插槽將支援入門級伺服器。值得注意的是,該平台將提供16和12通道記憶體支援。

深入研究技術層面,一些規格已透過貼吧百度論壇洩漏出來。這些洩漏的資訊表明,該晶片設計具有八個小晶片(CCD),每側四個,每個小晶片包含 12 個 Zen 6 核心。該設計包括多個 I/O 晶片 (IOD),增強了這些伺服器處理器的 I/O 功能。

該配置總共擁有令人印象深刻的 96 個核心和 192 個線程,與 AMD 目前基於 Zen 5 架構的 EPYC 9005 系列的核心數量相符。然而,據傳這些新處理器每個晶片包含高達 128 MB 的 L3 快取。雖然目前尚不清楚這種快取分配是否適用於 Zen 6 或 Zen 6C 版本,但 Zen 6C EPYC 晶片將為每個核心保留 2 MB 的 L3 快取。對於採用 Zen 6 架構的 EPYC 9006 系列,預期規格是 8 個晶片組支援的 96 個核心和 192 個線程,而 Zen 6C 型號將擴展到 256 個核心和 512 個線程。
SP8:最多 128 個 Zen 6C 核心,每個 CCD 128 MB(Zen 6 型號為 96 個核心),350-400w
SP7:最多 256 個 Zen 6C 核心,~600w https://t.co/CQodEenhBk
— Bionic_Squash (@SquashBionic) 2025年5月10日
Bionic_Squash的進一步見解表明,SP7 變體預計以 600W 左右的熱設計功率 (TDP) 運行,高於 Zen 5 架構典型的 400W。相比之下,SP8 型號預計將維持 350-400W 的 TDP 範圍。以下是總結的規格:
- EPYC 9006 “Venice”搭載 Zen 6C: 256 核心 / 512 線程 / 最多 8 個 CCD
- EPYC 9005「都靈」搭載 Zen 5C: 192 個核心 / 384 個線程 / 最多 12 個 CCD
- EPYC 9006 “Venice”搭載 Zen 5:96核心 / 192 線程 / 最多 8 個 CCD
- EPYC 9005「都靈」搭載 Zen 5:96核心 / 192 線程 / 最多 16 個 CCD
這條廣泛的產品線為資料中心和高效能運算 (HPC) 客戶提供了多樣化的 WeU 選擇。雖然這些規格還只是初步的,但 Zen 6 處理器預計將於明年推出,為 AMD 在不久的將來發布更詳細的公告鋪平了道路。
AMD EPYC CPU 系列概述:
姓 | AMD EPYC 威尼斯 | AMD EPYC Turin-X | AMD EPYC Turin-Dense | AMD EPYC 都靈 | AMD EPYC Siena | AMD EPYC 貝加莫 | AMD EPYC Genoa-X | AMD EPYC 熱那亞 | AMD EPYC Milan-X | AMD EPYC 米蘭 | AMD EPYC 羅馬 | AMD EPYC 那不勒斯 |
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家族品牌 | EPYC 9006 | EPYC 9005 | EPYC 9005 | EPYC 9005 | EPYC 8004 | EPYC 9004 | EPYC 9004 | EPYC 9004 | EPYC 7004 | EPYC 7003 | EPYC 7002 | EPYC 7001 |
家庭啟動 | 2026年? | 2025 | 2025 | 2024 | 2023 | 2023 | 2023 | 2022 | 2022 | 2021 | 2019 | 2017 |
CPU架構 | 當時是 6 | 當時是 5 | Zen 5C | 當時是 5 | 當時是 4 | 溫度是攝氏4度。 | Zen 4 V-Cache | 當時是 4 | 當時是 3 | 當時是 3 | 是 2 | 是 1 |
行程節點 | 台積電2nm | 台積電4奈米 | 台積電3nm | 台積電4奈米 | 5奈米台積電 | 台積電4奈米 | 5奈米台積電 | 5奈米台積電 | 7奈米台積電 | 7奈米台積電 | 7奈米台積電 | 14納米 GloFo |
平台名稱 | SP7 | SP5 | SP5 | SP5 | SP6 | SP5 | SP5 | SP5 | SP3 | SP3 | SP3 | SP3 |
插座 | 待定 | LGA 6096(SP5) | LGA 6096(SP5) | LGA 6096 | LGA 4844 | LGA 6096 | LGA 6096 | LGA 6096 | LGA 4094 | LGA 4094 | LGA 4094 | LGA 4094 |
最大核心數 | 256 | 192 | 128 | 128 | 64 | 128 | 96 | 96 | 64 | 64 | 64 | 三十二 |
最大線程數 | 512 | 384 | 256 | 256 | 128 | 256 | 192 | 192 | 128 | 128 | 128 | 64 |
最大 L3 緩存 | 高達 128 MB | 1536 MB | 384 MB | 384 MB | 256 MB | 256 MB | 1152 MB | 384 MB | 768 MB | 256 MB | 256 MB | 64 MB |
晶片設計 | 8 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 2 個 IOD? | 16 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 12 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 16 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 8 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 12 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 12 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 12 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 8 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 8 個 CCD(每個 CCD 1 個 CCX)+ 1 個 IOD | 8 個 CCD(每個 CCD 2 個 CCX)+ 1 個 IOD | 4 個 CCD(每個 CCD 2 個 CCX) |
記憶體支援 | DDR5-XXXX? | DDR5-6000? | DDR5-6400 | DDR5-6400 | DDR5-5200 | DDR5-5600 | DDR5-4800 | DDR5-4800 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-3200 | DDR4-2666 |
記憶體通道 | 16通道(SP7) | 12通道(SP5) | 12通道 | 12通道 | 6頻道 | 12通道 | 12通道 | 12通道 | 8頻道 | 8頻道 | 8頻道 | 8頻道 |
PCIe Gen 支持 | 待定 | 待定 | 128 個 PCIe Gen 5 | 128 個 PCIe Gen 5 | 96 第五代 | 128 第五代 | 128 第五代 | 128 第五代 | 128 第四代 | 128 第四代 | 128 第四代 | 64 第三代 |
TDP(最大) | ~600瓦 | 500瓦(cTDP 600瓦) | 500瓦(cTDP 450-500瓦) | 400瓦(cDP 320-400瓦) | 70-225瓦 | 320瓦(cTDP 400瓦) | 400瓦 | 400瓦 | 280瓦 | 280瓦 | 280瓦 | 200瓦 |
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