半導體產業的競爭日益激烈，尤其是在2奈米節點領域。日本Rapidus公司宣布了一項重大突破，使其躋身台積電、三星等行業領先者的行列。
Rapidus 憑藉創新技術在 2nm 生產方面取得進展
歷史上，台積電一直主導著晶片製造領域，緊隨其後的是三星和英特爾。然而，Rapidus 正準備進軍 2 奈米領域，並展示其強大的技術進步。該公司在最近的公告中透露，已在其 IIM-1 代工廠成功開發出採用全柵環 (GAA) 技術的 2 奈米晶片原型。這項成就使 Rapidus 成為該節點規模 GAA 技術量產的先驅，預計將於 2027 年開始大規模生產。
為了優化生產效率，Rapidus 在初始製造階段實施了「單晶圓」處理策略。這種方法可以即時調整和改進，使 Rapidus 能夠利用人工智慧的功能進行生產回饋。透過改進製程並提高良率，Rapidus 成為首批在其 2nm 生產線上採用這些尖端方法的公司之一，這凸顯了在關鍵的採樣階段精度的重要性。
Rapidus 的另一個重要里程碑是其採用極紫外線 (EUV) 微影技術，使其成為日本首家採用此類先進設備的公司。這次與 ASML 設備的整合，進一步增強了 Rapidus 與台積電在光刻領域的技術實力，彰顯了其對創新的堅定承諾。該公司計劃在 2026 年第一季前發布 2 奈米 GAA 製程設計套件 (PDK)，為 2027 年全面投產前的客製化解決方案奠定基礎，比台積電的預期時間表晚了近一年。
隨著 Rapidus 技術的不斷進步，產業格局或將會改變。像 Rapidus 這樣的新競爭對手的出現，可能會為半導體市場帶來必要的多元化，尤其是在老牌企業似乎難以保持領先的情況下。
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