新思科技宣布成功實現基於台積電尖端 N2P 製程節點的 LPDDR6 智慧財產權 (IP) 的矽片生產，在行動記憶體技術領域取得了重大進展。
N2P 技術帶來令人印象深刻的頻寬成就
對於不熟悉的人來說，矽片啟動 (Bring-up) 指的是新晶片的初始上電階段，尤其適用於 IP 模組。這個關鍵過程涉及一系列測試，包括硬體驗證、電源排序和其他關鍵檢查。新思科技 (Synopsys) 的最新進展凸顯了其開發可授權 LPDDR6 IP 模組的能力，該模組可達到高達 86 GB/s 的超高頻寬，與 JEDEC 標準設定的規範高度一致。
我們已成功在台積電 N2P 上實現 LPDDR6 IP 的矽片上線，提供高達 86GB/s 的頻寬。高效的 LPDDR SDRAM 將協助下一代行動、AI 和邊緣系統。
— Synopsys (@Synopsys) 2025 年 10 月 16 日
此次開發標誌著台積電先進的 N2P 製程與 LPDDR6 IP 模組的首次整合。這個 IP 的架構由兩個主要元素組成：控制器和 PHY 介面。控制器負責實現 JEDEC 協定引擎並管理時序控制和低功耗狀態。重要的是，台積電的 N2P 製程增強了 PHY 的功能，因為它包含旨在優化性能的先進模擬和 I/O 電路。
值得注意的是，LPDDR6 控制器需要更高的密度和速度才能達到高效率的時序收斂。 N2P 技術在這方面表現出色，擁有令人印象深刻的功耗-性能-面積 (PPA) 指標。這不僅降低了每個位元的能耗，還最大限度地減少了記憶體的實體佔用空間，使其更適合應用於裝置端 AI 和其他高能源效率平台。
新思科技深入研究效能指標，發現該堆疊支援高達 86 GB/s 的驚人頻寬，與 JEDEC 約 10.667 GB/s 的單引腳標準一致。理論最高速度可達單腳 14.4 GB/s 左右，相當於令人印象深刻的 115 GB/s 總頻寬。這表明，在台積電 N2P 技術的創新推動下，LPDDR6 相較於 LPDDR5 實現了顯著的世代飛躍。展望未來，LPDDR6 預計在來年成為主流解決方案，並有望重新定義行動記憶體的產業基準。
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