台積電向先進微影技術的轉變取決於對先進的極紫外線 (EUV) 機器的收購。這些最先進的系統對於快速生產缺陷率最低的 2nm 晶圓至關重要。今年早些時候，台積電開始接受這種創新製造流程的訂單，聯發科計劃在 2025 年第四季開始流片其首款 2nm 晶片組。然而，進入 2nm 以下領域需要使用特殊的設備。 ASML 的高數值孔徑 (NA) 技術被認為對於解決這些複雜的製造任務至關重要。然而，最近的一份報告顯示，台積電仍對採購如此昂貴的機器猶豫不決。
EUV 機器的高成本對台積電構成挑戰
台積電部署的最先進的 EUV 系統需要大量的資金投入，其成本接近 ASML 最新 NA 技術成本的一半。台積電預計 2nm 製程將在未來幾年內成熟，據報道已將目光投向 1.4nm 節點，旨在將功耗降低 30%。這項被稱為 A14 或 14 埃的技術預計將於 2028 年開始量產。實施這種先進的光刻技術可能會依賴尖端機械，特別是 ASML 的高數值孔徑系統。不過，根據路透社報道，台積電目前正在權衡進行此類投資的必要性。
台積電高級副總裁張文最近談到了該公司對這些先進節點的探索，並對為 ASML 的高端機器撥款 4 億美元的必要性提出了質疑。他認為，目前的定價並不能提供令人信服的升級理由。為了優化運營，台積電有效利用了現有的 EUV 技術，從現有機器中獲得最大價值。
只要現有硬體能夠繼續充分適應最新的光刻工藝，台積電可能會推遲任何重大採購。同時，ASML 還有其他客戶渴望增強其競爭優勢；這家荷蘭製造商已經向包括三星在內的多個客戶發送了五台高NA機器。值得注意的是，據報道，三星已經組建了一支專注於 1nm 製造的專門團隊，目標是在 2029 年實現量產。
台積電最終是否決定投資高NA機器仍不確定。然而，該公司多年來已成功保持行業領導地位，這表明他們可能正在採用有效的策略來保持競爭優勢。
新聞來源：路透社
發佈留言