最近的更新表明，台積電將不會將高NA EUV光刻技術整合到即將推出的 A14 晶片的製造過程中。相反，這家半導體巨頭計劃採用傳統的 0.33-NA EUV 技術。
台積電的策略轉變：優先考慮成熟技術，而非高NA EUV
台積電長期以來被公認為半導體創新領域的領導者，並經常為產業樹立標竿。然而，在最近的 NA 技術研討會上，台積電高級副總裁張凱文透露，該公司選擇放棄在 A14 製造流程中使用高 NA EUV 光刻技術。這項決定顯示了對成熟技術的依賴，這可能使英特爾代工廠和某些 DRAM 製造商處於競爭優勢。
台積電將不會使用高NA EUV光刻技術來對A14晶片進行圖案化，該晶片的生產計劃於2028年開始。從2奈米到A14，我們不必使用高NA，但我們可以在處理步驟方面繼續保持類似的複雜性。
每一代技術，我們都盡量減少掩模數量的增加。這對於提供具有成本效益的解決方案非常重要。
– 台積電的 Kevin Zhang
這項決定強調了台積電在應對半導體技術不斷發展變化的同時，致力於維持生產流程的效率和成本效益。這項選擇可能會對半導體產業的競爭態勢產生重大影響。
這是一個不斷發展的故事…
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