看來，台灣半導體巨頭台積電並不急於採用高數值孔徑極紫外線 (EUV) 微影技術。最近的發展表明，該公司計劃放棄這種尖端方法，轉而採用成熟的方法來生產即將推出的 A14 晶片。
台積電的策略轉變：強調傳統技術而非高NA EUV
從歷史上看，台積電一直走在半導體技術進步的前沿，經常以其創新實踐引領產業。不過，在最近的奈米技術研討會上，台積電高級副總裁張文宏宣布，公司不會在 A14 製程中採用高 NA EUV 光刻技術。相反，它將依賴傳統的 0.33-NA EUV 技術。這項轉變使台積電落後於英特爾等採用更新的光刻工具的競爭對手。
台積電將不會使用高NA EUV光刻技術來對A14晶片進行圖案化，該晶片的生產計劃於2028年開始。從2奈米到A14，我們不必使用高NA，但我們可以在處理步驟方面繼續保持類似的複雜性。
每一代技術，我們都盡量減少掩模數量的增加。這對於提供具有成本效益的解決方案非常重要。
– 台積電的 Kevin Zhang
台積電做出此決定的主要考慮因素是採用高數值孔徑 EUV 會導致生產成本大幅增加。報告顯示，與標準 EUV 方法相比，使用高 NA 微影技術可能會使成本增加高達 2.5 倍。如此大幅的成長將使 A14 製程的成本過高，進而使其與消費產品的整合變得複雜。
更複雜的情況是 A14 晶片設計的性質，它每一層都需要多個遮罩。實施高NA光刻技術將會增加成本，而投資報酬率卻有限；相反，台積電正專注於 0.33-NA EUV 方法。這項策略使公司能夠利用多重圖案化技術，在保持設計複雜性的同時控制整體生產成本。
奇怪的是，台積電不願採用高NA EUV，這使其處於競爭劣勢。據報道，英特爾代工廠準備在其即將推出的 18A 製程中採用高 NA 技術，預計最早將於明年推出。這使英特爾在技術上領先於台積電，台積電計劃在 2029 年推出 A14P 節點，從而有效地將其高 NA 光刻技術的使用推遲至少四年。這個策略選擇可以為英特爾和其他競爭者在半導體市場帶來顯著優勢。
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