初步韌體測試顯示,三星 Galaxy S25 FE 的較大蒸汽室可能未充分利用

初步韌體測試顯示,三星 Galaxy S25 FE 的較大蒸汽室可能未充分利用

三星 Galaxy S25 FE 及其前代產品 Galaxy S24 FE 採用了相同的圖形處理單元三星 Xclipse 940。然而,初步測試表明,與 S24 FE 相比,S25 FE 出現了更嚴重的節流問題。

架構對比:三星 Galaxy S25 FE 與 S24 FE

  1. CPU 效能– Galaxy S25 FE 和 S24 FE 皆配備相同的 CPU 架構,其特點是:
    • 4 個 Cortex-A520 內核,運作頻率為 1.95 GHz
    • 3 個 Cortex-A720 內核,主頻 2.60 GHz
    • 2 個 Cortex-A720 內核,主頻 2.90 GHz
    • S25 FE 配備1 個 Cortex-X4 內核,主頻為3.21 GHz,而 S24 FE 則運行於3.11 GHz
  2. GPU 規格– 兩款裝置均採用三星 Xclipse 940 GPU,其時脈為 1, 095 MHz。
  3. 製造流程-每個系統單晶片 (SoC) 均採用 4nm 光刻技術建構。

三星 Galaxy S25 FE 的散熱效能問題

儘管擁有相似的 SoC 架構,三星 Galaxy S25 FE 仍面臨顯著的散熱挑戰。考慮到它比 S24 FE 擁有更大的均熱板,這一點尤其令人擔憂。

根據 Android Authority 進行的初步韌體測試,與前代產品相比,S25 FE 往往會快速升溫,且效能會受到嚴重限制。

這一意外結果突顯了該設備在壓力測試期間僅能維持其峰值 GPU 性能的 59% 到 66% 的能力,而 Galaxy S24 FE 則能維持其峰值性能的 71% 到 72% 左右。

造成這些差異的根本原因可能是:

  1. 初始韌體可能未最佳化,但可能會透過未來的更新得到改進。
  2. 蒸汽室可能無法有效發揮作用,進而影響散熱。

隨著事態的發展,我們將為讀者提供及時的更新和對這一不斷變化的情況的更深入的見解。

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