中國領先的記憶體晶片製造商長鑫儲存（CXMT）正在半導體產業取得顯著進展，向包括華為在內的國內知名人工智慧 (AI) 公司發送其 HBM3（高頻寬儲存）晶片樣品。此舉旨在緩解長期以來困擾中國 AI 晶片生產的高頻寬儲存危機。
長鑫儲存計畫2027年在中國推出HBM3E，搶佔DRAM需求先機
多年來，中國政府一直努力應對高頻寬記憶體（HBM）供應短缺的問題，這阻礙了華為等大型企業提升其人工智慧晶片製造能力。長期以來，中國企業一直依賴有限的出口管制前HBM庫存，難以開發出足夠的技術解決方案和生產能力。然而，據《電子時報》（DigiTimes）報道，長鑫存儲向華為交付至關重要的HBM3樣品，標誌著其朝著預計將於今年晚些時候開始的大規模生產邁出了關鍵一步。
分析師斷言，儘管長鑫儲存可能落後世界頂級製造商三到四年，但它的進步標誌著增強中國半導體獨立性、挑戰國際 DRAM 生產商長期領先地位的關鍵進展。
儘管長鑫儲存面臨技術挑戰，但得益於成熟的生產線，在DRAM領域仍佔據重要地位。預計2023年，該公司的DRAM產量將持續成長，其中國工廠的月產量可望達到23萬至28萬片晶圓。這項產能對於長鑫儲存成功加速國產HBM技術發展至關重要，尤其是在華為和寒武紀等人工智慧巨頭迫切尋求提陞技術的情況下。
除了在高頻寬記憶體 (HBM) 技術方面的努力外，長鑫儲存在消費性記憶體領域也有進展，近期推出了 DDR5 記憶體模組，良率高達 80% 以上。此外，該公司預計將於 2026 年第一季進行首次公開發行 (IPO)，進一步提升其市場地位。
高頻寬記憶體的需求被認為是中國人工智慧領域發展的一大障礙。長鑫儲存致力於自主研發尖端技術的雄心，凸顯了中國政府對人工智慧運算進步的不懈追求。在中國日益擺脫對西方技術框架的依賴之際，這項轉變尤其重要。
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