中國長江儲存進軍 DRAM 市場，透過國內生產解決區域 HBM 短缺問題

長江儲存是中國領先的 NAND 快閃記憶體製造商之一，目前正在進入 DRAM 領域，尤其專注於自主研發高頻寬記憶體 (HBM) 解決方案。這項策略性措施旨在緩解中國目前面臨的 HBM 短缺問題，而這一問題主要源自於人工智慧晶片技術需求的激增。

長江儲存進軍DRAM領域：生產線與HBM重點

中國對高頻寬記憶體（HBM）——人工智慧晶片的關鍵零件——的需求不斷增長，導致庫存嚴重枯竭，迫使中國嚴重依賴日益減少的儲備。相較於更廣泛的晶片產能問題，確保國內HBM資源的挑戰對中國科技產業構成了更大的威脅。近日，路透社報道稱，長江儲存正式進軍DRAM市場，生產HBM解決方案，凸顯了解決這一嚴重短缺問題的迫切性。

去年 12 月，美國擴大了出口管制，限制北京取得高頻寬記憶體 (HBM)，這是一種用於製造 AI 晶片組的專用 DRAM 形式。此後，這家國營晶片製造商的舉動凸顯出中國對提升先進晶片製造能力的迫切需求。 ——路透社

除了專注於HBM生產外，長江儲存還在投資先進的晶片封裝技術，尤其是矽通孔（TSV）技術。這項技術在增強堆疊VRAM晶片之間的連接性方面發揮著至關重要的作用，而這對於高效製造HBM至關重要。長江儲存進軍DRAM生產不僅旨在滿足自身HBM需求，也致力於解決目前阻礙中國領先科技公司採用人工智慧技術的供需失衡問題。

到 2025 年，HBM 市場價格將飆升 10%，因為明年需求將翻倍 — 三星HBM

先前有報導稱，長江儲存計畫與中國知名 DRAM 製造商長鑫儲存 (CXMT) 合作，共同生產 HBM。此次合作旨在利用 CXMT 在 3D 堆疊技術方面的專業知識，該技術對 HBM 的開發至關重要。此外，長江儲存計劃在武漢設立一座生產設施，用於其 DRAM 業務，但具體的生產時間表和產量目標仍不確定。轉型至 DRAM 領域是一項艱鉅的任務，建立可持續的生產模式需要時間。

解決HBM供應瓶頸是許多中國企業的首要任務，尤其是在華為等競爭對手紛紛宣布其下一代AI晶片的內部HBM整合計畫之際。該領域的進步可能對國內科技格局產生持久影響，從而進一步促進創新和生產力提升。

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