中國在晶片製造領域的進步正受到關注，尤其是在中國開發出第一台用於商業用途的電子束微影設備之後。
中國首創的電子束光刻機：在限制中向前邁進
在光刻技術領域，中國歷來落後於西方，主要原因是無法取得阿斯麥（ASML）的先進設備，這是生產高階半導體晶片的關鍵障礙。儘管如此，一些中國公司仍在積極努力將極紫外線（EUV）技術引入市場。浙江大學的研究人員取得了一項顯著的成就，他們成功設計出一台利用電子束雕刻半導體晶圓的光刻機（透過SCMP）。
這台名為「曦之」的新設備是一個重要的里程碑，儘管它目前的性能尚無法與ASML的高數值孔徑EUV系統相媲美。電子束微影（EBL）設備目前受美國出口法規的管制，因此這項成就對中國國內晶片產業至關重要。雖然該設備可以達到0.6奈米的精度，與ASML的先進技術相當，但其吞吐量是一個主要缺陷。 EBL採用逐點寫入方法，這意味著生產單一晶圓可能需要數小時，這嚴重限制了其量產效率。
中國的大部分標準晶片生產仍然依賴深紫外線 (DUV) 設備。 EBL 設備的引進可望縮小中國企業與西方同行之間的研發差距，從而打造出先進的晶片原型。然而，這種方法能否持續進行大規模生產仍值得懷疑。
儘管中國在半導體技術方面落後美國多年，但進步顯而易見，差距正在逐漸縮小。 EBL 對中國在全球晶片市場崛起雄心的未來影響，值得關注。
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