在最近的開放運算專案 (OCP) 全球高峰會上，三星公佈了高頻寬記憶體 (HBM) 的重大進展，尤其是即將推出的 HBM4E 技術，成為記憶體製造領域的領跑者。新一代記憶體有望在其前代產品的基礎上實現顯著的效能提升。
三星 HBM4E：記憶體技術的飛躍，速度無與倫比
三星一直在積極推進其 HBM 產品，最近與 NVIDIA 和 AMD 等主要廠商簽訂了關鍵合約。在 OCP 活動上，該公司闡明了其 HBM 系列的未來發展方向，並強調了 HBM4 和下一代 HBM4E 的卓越規格。值得注意的是，HBM4E 的引腳速度將達到每堆疊 13 Gbps，相當於驚人的 3.25 TB/s 頻寬，這在效能指標上實現了顯著提升。
此外，HBM4E 模組擁有令人印象深刻的能效，據報導其能源效率幾乎是現有 HBM3E 的兩倍。三星的 HBM4 製程也樹立了新的標桿，達到了 11 Gbps 的引腳速度，超越了 JEDEC 等組織定義的既定標準。這項突破符合 NVIDIA 對增強型 HBM4 解決方案的需求，旨在提升其 Rubin 架構的效能。據當地媒體報道，三星率先實現了這項突破。
三星電子先前在HBM3E領域落後於競爭對手，自HBM4研發伊始，便積極追求更高的頻寬能力。隨著HBM4速度競賽接近尾聲，該公司的策略是保持勢頭，朝向下一代技術邁進。 —— Sedaily
除了效能提升之外，三星還致力於為 NVIDIA 等公司建立具有競爭力的 HBM4 供應定價機制。由於先進的半導體技術 (4nm) 是 HBM4 不可或缺的組成部分，三星的內部代工能力能夠更好地控制這些模組生產的利潤率。
至於HBM4E的市場推出，預計將於2026年初首次亮相，與HBM4技術的量產時間表一致。
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