科技界對三星即將推出的 Galaxy S26 系列充滿期待，對其功能也寄予厚望。繼 Galaxy S25 系列強調其整合 AI 功能之後，三星似乎準備在下一款旗艦產品中推出重大改進。最近的洩密事件引發了人們對 Galaxy S26 Ultra 重大改進的猜測，尤其是在記憶體效能方面，科技愛好者們渴望了解更多資訊。
Galaxy S26 Ultra 的 RAM 大幅升級：為何如此重要
在我們翹首以盼 Galaxy S26 系列正式發布之際，內部消息和傳聞開始勾勒出 S26 Ultra 的更多細節。精緻的設計、更輕巧的結構、更強大的相機功能，以及至關重要的記憶體效能顯著提升，都是備受關注的改進之處。據知名爆料人Ice Universe透露，S26 Ultra 將搭載美光科技先進的 LPDDR5X 內存，運行速度高達 10.7 Gbps。這比 S25 Ultra 的 9.6 Gbps 速度有了顯著提升。
Galaxy S26 Ultra 10.7Gbps LPDDR5X
— PhoneArt (@UniverseIce) 2025年8月8日
記憶體的升級主要歸功於美光創新的 1γ (1-gamma) DRAM 架構，該架構提升了能源效率和多任務處理能力。與上一代 1β (1-beta) 相比，這項全新架構在節省電池續航力的同時，也實現了更流暢的效能。雖然速度提昇在日常使用中可能不會立即顯現，但在記憶體頻寬對於穩定性和優化功能至關重要的高效能場景中，速度提升至關重要。
此外，三星對先進AI功能的重視與RAM的升級相得益彰，確保Galaxy S26 Ultra不僅保持強大的性能，還能出色地執行高要求的應用程式。預計新款機型將搭載驍龍8 Elite 2晶片，配合RAM的升級，進一步提升其性能潛力。
在競爭日益激烈的市場環境下，競爭對手紛紛努力提升記憶體和儲存能力，三星必須保持領先地位。透過整合升級的運行記憶體和更高的效率，這家韓國科技巨頭有機會在未來一年重新定義安卓裝置的標準。這種結合有望顯著提升電池續航時間和峰值性能。
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