三星雄心勃勃的2026年下一代記憶體生產計劃
三星正積極籌備記憶體技術的重大進步，目標是啟動下一代高頻寬記憶體（HBM4）的生產，同時也將推出計畫於 2026 年上市的 24 Gb GDDR7 DRAM 和 128GB+ 產品。
近期財務業績亮點
三星在2025年第三季財報中公佈，營收年增15.4%，達到86.1兆韓元，創歷史新高。這項突破性成長主要得益於市場對HBM3E記憶體和伺服器固態硬碟需求的激增，尤其是人工智慧領域的蓬勃發展更是推動了公司業績的顯著提升。
下一代HBM4和2nm製程的介紹
近日，三星發表了其先進的HBM4記憶體解決方案，單晶片傳輸速度高達11Gbps。這種記憶體類型被視為NVIDIA和AMD等產業巨頭即將推出的AI加速器（尤其是Rubin和MI400系列）的有力競爭者。據報道，AI晶片製造商正在對這款尖端HBM4記憶體的樣品進行測試和認證。
配合 HBM4 的研發，三星正致力於確保到 2026 年能夠穩定供應其 2nm 全方位閘極 (GAA) 製程和 HBM4 基礎晶片。這項 2nm 技術有望提升下一代 Exynos 和高通驍龍系統晶片 (SoC) 的產能，預計本季開始量產。
2025年第四季度，公司將積極回應人工智慧和傳統伺服器的需求，推出HBM3E、高密度eSSD和其他領先的記憶體產品。此外，該公司還將繼續擴大業界領先的高附加價值伺服器記憶體產品的銷售，例如128GB及以上容量的DDR5記憶體以及24GB GDDR7記憶體。
展望2026年，記憶體業務將專注於量產性能差異化的HBM4產品，同時擴大HBM的銷售規模。尤其值得注意的是，市場對HBM4的需求預計也將成長，公司計劃積極響應，在1c階段擴大產能。此外，公司也將著力拓展其他高附加價值產品的銷售，例如DDR5、LPDDR5x和高密度QLC固態硬碟，以滿足人工智慧應用的需求。
2025 年第四季度，公司將透過提高 2nm 環柵 (GAA) 產品的量產能力、提高晶圓廠利用率和優化成本，力爭持續改善獲利能力。
2026 年，晶圓代工業務將專注於穩定供應新的 2nm GAA 產品和 HBM4 基片，並及時啟動該公司位於德克薩斯州泰勒市的晶圓廠的營運。
未來產品影響與市場趨勢
三星已經明確了128GB+ DDR5記憶體和24Gb GDDR7 DRAM在2026年將發揮的關鍵作用。預計AMD和英特爾將在2026年下半年發布新的伺服器平台，將顯著提升市場活躍度。
預計市場對 GDDR7 的需求將保持強勁，尤其是在高階消費者和 AI 顯示卡開發商。 NVIDIA 近期發布的 Rubin CPX GPU 是這個顯存的理想之選，它也可能適用於即將推出的 NVIDIA RTX 50 “SUPER” 系列以及潛在的 AMD Radeon “RDNA 5” 或 “RDNA 4” 更新產品。 24Gb 的 DRAM 晶片不僅可以提升顯存容量，還能彌補主流市場的顯存缺口。
然而，DRAM 和 SSD 市場目前面臨的一個緊迫挑戰是，人工智慧的過度發展導致面向消費者的產品價格飆升。近期報告顯示，在供應日益短缺的情況下，DDR5 記憶體和 SSD 的價格大幅上漲，引發了消費者和製造商的擔憂。多家主要 DRAM 生產商已宣布即將上調 DDR5 和 DDR4 記憶體的價格，這促使人們更加密切地關注未來幾個月的市場動態。
發佈留言