三星在推進其半導體技術方面取得了重大進展，尤其是 2nm 全柵 (GAA) 製程。為了大膽突破晶片製造的界限，該公司已啟動開發自己的 1nm 製程的計畫。根據最近的報導，三星已經組建了一個專門的團隊來加速這項開創性計畫。不過值得注意的是，1nm晶片預計要到2029年才能實現大規模生產。
1nm技術的要求和當前發展
製造 1nm 晶圓的關鍵在於取得「高 NA EUV 曝光設備」。目前，尚未確認三星是否已訂購這款先進機器。同時，另一家半導體龍頭企業台積電已於4月初開始接受2奈米晶圓訂單，競爭格局進一步加劇。
三星近期的 2nm GAA 技術表現已顯著提升，據報導生產良率已達 30%。與先前的 3nm GAA 製程相比，這是一個進步，儘管該公司仍然面臨挑戰。台積電目前正在向 1.4nm 節點邁進，因此三星的 1nm 目標對於其在行業中取得競爭優勢至關重要。
Sedaily 的報導強調，三星的 1nm 計劃被恰當地稱為“夢想半導體工藝”，需要創新的技術和方法。值得注意的是，參與這項雄心勃勃的事業的一些研究人員已被重新分配到新成立的團隊，表明了對這一尖端發展的戰略重點。然而，值得注意的是，三星先前已決定放棄其 1.4nm 工藝，可能是為了將資源轉向 2nm 技術——這一決定的具體原因尚未公開。
展望未來，如果三星成功生產第一顆 1nm 晶圓，那麼距離量產還有很長的路要走，預計要到 2029 年。這四年的時間跨度意味著生產階段可能會遇到一些障礙，但三星對創新的承諾對於克服這些挑戰至關重要。我們將繼續關注並報導三星在這項雄心勃勃的計劃中取得的進展。
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