
憑藉第一代 2 奈米環繞柵極 (GAA) 技術的進步,三星在晶圓代工市場取得了長足進步。有報導指出,這家韓國科技巨頭不僅重拾成長勢頭,未來幾年也有望挑戰台積電的主導地位。近日,有消息證實,三星已完成第二代 2 奈米 GAA 節點的基礎設計。這項新技術預計將在即將推出的 Exynos 系統級晶片 (SoC) 的量產中發揮關鍵作用。
2nm GAA 技術的進步:邁向效能提升之路
韓國媒體 ZDNet 的詳細分析(SF2P)凸顯了三星希望透過下一代 2nm GAA 製程重振其在晶圓代工領域的競爭力的雄心。目前,該公司正在推進 Exynos 2600 原型的量產,其半導體和 LSI 部門的目標是在幾個月內實現 50% 的良率目標。這些進展表明,三星正穩步在市場上建立穩固的地位,這一點從該公司和設計公司圍繞 SF2P 技術的推廣中可見一斑。
量產時間表定於明年,取決於試驗階段是否成功完成。如果一切順利,第二代 2nm GAA 技術將使三星能夠顯著增強未來的 Exynos 晶片組。與上一代相比,SF2P 技術可望將效能大幅提升 12%,功耗降低 25%,面積縮小 8%。雖然報告並未透露對這項新製造流程感興趣的具體客戶,但高通很可能是其中的競爭者。
具體來說,高通為即將推出的 Galaxy S25 系列量身定制的驍龍 8 Elite Gen 2 預計將採用三星的 2nm GAA 晶圓進行量產。此次合作暗示了高通潛在的多元化採購策略,旨在平衡三星和台積電之間的生產。隨著第一代 2nm GAA 節點的持續發展,促進該領域的競爭至關重要,以確保領先的代工公司能夠提供最佳產品。
更詳細的見解,請參閱ZDNet的報告。
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