即將推出的 Exynos 2600 目前正在進行原型生產，它將標誌著三星旗艦級系統級晶片 (SoC) 在性能和效率方面的重大提升。 Exynos 2600 採用先進的 2 奈米環繞閘極 (GAA) 工藝，旨在提升處理能力。然而，Exynos 系列的歷代產品在熱管理方面存在問題，儘管在智慧型手機中採用了均熱板技術，但仍經常出現過熱問題。為了應對這項挑戰，三星計畫整合一種名為「散熱塊」(HPB) 的創新解決方案來優化散熱，從而確保 SoC 保持最佳效能。
HPB 如何增強 Exynos 2600 的熱調節
傳統上，三星的 Exynos 晶片組將 DRAM 直接置於 SoC 之上。 ETNews 最近的報告表明，Exynos 2600 的設計將有所改進，將 HPB 和 DRAM 直接置於晶片本身上。這種策略性佈局使 HPB 能夠有效地充當散熱器，顯著改善熱傳遞。此外，三星預計將在新架構中採用扇出型晶圓級封裝 (FOWLP)，該技術最初在 Exynos 2400 中首次亮相。這項改進預計將增強耐熱性並提升多核心處理性能。
為了應對驍龍 8 Elite Gen 2 和天璣 9500 等競爭對手，三星積極採取措施，確保 Exynos 2600 保持競爭力。最近洩漏的 Geekbench 6 數據表明，Exynos 2600 的峰值核心頻率將達到 3.55GHz，目前落後於天璣 9400+ 中的 Cortex-X925。
HPB 和 FOWLP 的雙重整合有望使 Exynos 2600 實現更高的運行頻率。這對於提升單核心和多核心性能並有效控制溫度至關重要。眾所周知，過熱會降低效能，不僅會對使用者造成不適，還可能造成電池損耗和安全隱患，包括電池故障的風險。
如果三星的 2nm GAA 製程能夠實現良好的良率，我們預計在年底前看到 Exynos 2600 的正式發布。這段時間恰好與預計 2026 年初發布的 Galaxy S26 系列完美契合。
更多詳情，請參閱ETNews的原始報道。
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