三星將在 2026 年國際消費性電子展 (CES) 上發布其尖端的 LPDDR6 記憶體和 PM9E1 Gen5 SSD 解決方案，以及一系列其他先進技術。
三星準備在2026年國際消費性電子展（CES）上推出LPDDR6 DRAM和PM9E1 Gen5 SSD
隨著CES 2026的臨近，人們對它的期待也日益高漲，該組織近日公佈了年度創新獎。三星憑藉兩款即將亮相的突破性產品成為焦點：創新的LPDDR6記憶體和新一代PM9E1 Gen5固態硬碟。
革命性的LPDDR6記憶體解決方案
三星將採取策略性舉措，於明年推出首款LPDDR6 DRAM產品。該公司承諾，採用先進的12nm製造工藝，該產品的數據傳輸速率最高可達10.7Gbps，並且與先前的LPDDR5解決方案相比，能源效率將顯著提升21%。
目前，三星的LPDDR5X是其速度最快的記憶體解決方案。即將推出的LPDDR6預計將把傳輸速度提升驚人的11.5%，大幅提升頻寬能力。雖然三星尚未公佈具體的記憶體容量，但CES展會將揭曉這些令人興奮的細節。
隨著人工智慧、邊緣運算和行動平台的不斷發展，對速度更快、更有效率、安全性更強的記憶體的需求也達到了前所未有的高度。 LPDDR6 是一款專為滿足這些需求而設計的下一代記憶體解決方案。 LPDDR6 採用先進的 12nm 製程製造，支援高達 10.7Gbps 的超高速資料傳輸速率，並擁有更大的 I/O 數量以最大限度地提高頻寬——是資料密集型行動應用、邊緣運算和人工智慧工作負載的理想之選。
動態電源管理系統可根據工作負載智慧調節功耗，與上一代產品相比，能源效率提升約 21%。 LPDDR6 還引入了增強的安全機制，以保障資料完整性，使其應用範圍從行動領域擴展到工業和關鍵任務型人工智慧環境。憑藉其可擴展的跨平台架構和環保設計，LPDDR6 在效能、節能和可靠性之間實現了完美平衡，使其成為未來智慧系統不可或缺的記憶體解決方案。
隆重介紹 PM9E1 Gen5 固態硬碟
除了革命性的DRAM之外，三星還將展示備受期待的PM9E1 Gen5固態硬碟。這款緊湊型M.2 22×42規格固態硬碟擁有卓越的效能指標，讀取速度高達14.8 GB/s，寫入速度高達13.4 GB/s。它支援高達4 TB的儲存容量，是目前市面上速度最快的Gen5固態硬碟之一，體積也相當小巧。
三星透露，PM9E1 Gen5 SSD 將採用其專有的「Presto」控制器，結合最新的 V8 TLC V-NAND 快閃記憶體技術，確保無與倫比的性能和耐用性。
PM9E1 M.2 22×42 是全球首款採用超緊湊型 M.2 介面（22mm x 42mm）的 AI 優化型 PCIe Gen5 NVMe SSD，可提供突破性的效能和空間利用率。 PM9E1 專為高階遊戲、下一代裝置端 AI 和高階運算而設計，提供業界領先的順序讀取/寫入速度，分別高達 14.8GB/s 和 13.4GB/s。其容量最高可達 4TB——在同尺寸級別中前所未有——專為空間受限的運算系統而設計，同時確保效能不受影響。
PM9E1 M.2 22×42 採用三星自研的「Presto」控制器和先進的 V8 TLC V-NAND 快閃記憶體，確保卓越的能源效率、響應速度和耐用性。其強大的架構支援 SPDM（安全協定和資料模型）v1.2，可實現裝置級身分驗證和韌體完整性，從而保障資料安全。無論是加速 AI 工作負載或傳輸超高解析度內容，PM9E1 都將引領未來快速、安全、緊湊的儲存發展方向。
展望未來
三星預計也將在即將到來的CES展會上進一步展示包括GDDR7記憶體在內的其他技術。隨著CES 2026的臨近，請密切注意三星的公告，因為這些進展可能會重新定義科技領域的效能標準。
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