三星目前在半導體領域面臨的挑戰與其良率問題密切相關，尤其是在採用3奈米環繞閘極（GAA）技術方面。儘管遭遇挫折，該公司仍致力於策略反彈，將精力集中在即將推出的2奈米GAA節點上。有報導稱，三星選擇優先開發2奈米GAA工藝，而不是推遲的1.4奈米節點，以挽回高通等合作夥伴流失的業務。然而，要達到與台積電同等的競爭力仍需相當長的時間；該公司正努力將良率穩定在年底前達到60%至70%。
高通重新對三星驍龍 8 Elite Gen 2 的 2nm GAA 技術產生興趣
自公佈2025年第一季業績以來，三星一直致力於穩定其2奈米GAA製程的良率。該公司計劃於2025年下半年全面投產。根據The Bell報道，儘管目前的良率徘徊在30%左右（低於最佳水平），但三星的目標是盡快將其提升至50%，並預計到年底將進一步提升至60%至70%。
即使三星成功實現良率目標，其成功也取決於能否與高通等關鍵客戶恢復合作關係。與先前高通撤回三星訂單的說法相反，最近的報告表明，這家總部位於加州的晶片製造商仍在利用三星的 2nm GAA 技術來開發驍龍 8 Elite Gen 2 項目，該項目此前的代號為 Kaanapali S。
鑑於三星因晶片訂單不足而陷入財務困境，其亟需解決營運挑戰。為了展現其致力於在高風險的半導體市場建立富有成效的合作的決心，該公司已完成其第二代 2nm GAA 節點的基礎設計。此外，三星計劃在未來兩年內整合其第三代 2nm GAA 技術（稱為 SF2P+）。然而，至關重要的是，這些進步必須轉化為客戶的新訂單。
欲了解更多見解，請參閱《The Bell》上的詳細文章。
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