A TSMC anunciou novas atualizações interessantes sobre sua inovadora tecnologia “2nm N2”, apresentando avanços significativos tanto nas taxas de rendimento quanto nas métricas de desempenho.
Desempenho transformador da tecnologia “N2 Nanosheet” da TSMC
A expectativa em torno do processo de 2 nm da TSMC continua a crescer, pois este novo nó está pronto para fornecer melhorias notáveis em desempenho e eficiência energética. Com a produção em massa prevista para começar no segundo semestre de 2025, os insights recentes revelados durante a apresentação da TSMC no IEEE International Electron Device Meeting (IEDM) em São Francisco lançaram luz sobre como o 2 nm se compara aos seus predecessores. Os holofotes estavam firmemente voltados para a tecnologia de ponta “nanosheet”.
A TSMC relatou que seu processo de 2 nm oferece uma impressionante melhoria de 15% no desempenho, reduzindo simultaneamente o consumo de energia em até 30%. Esses avanços aumentam significativamente a eficiência geral do nó. Além disso, o processo exibe um aumento de 1,15 vezes na densidade do transistor, um marco atribuído à incorporação de transistores de nanofolha de porta completa (GAA) e à arquitetura N2 NanoFlex, que otimiza o espaço para várias células lógicas.
A transição da tecnologia FinFET convencional para a arquitetura especializada de “nanosheet” N2 concedeu à TSMC maior controle sobre o fluxo de corrente. Essa mudança capacita os fabricantes a adaptar parâmetros operacionais a casos de uso específicos, graças ao design intrincado das nanosheets, que consistem em fitas de silício estreitas empilhadas, cada uma totalmente cercada por um gate. Esse design permite um controle de corrente muito mais preciso em relação às implementações FinFET.
Quando comparada ao processo de 3 nm e suas variantes, a tecnologia N2 da TSMC mostra melhorias de capacidade notáveis. Espera-se que esse progresso substancial atraia os principais participantes da indústria, como a Apple e a NVIDIA, ansiosos para alavancar as vantagens geracionais fornecidas por esse processo inovador. No entanto, a introdução dessas atualizações também levará a um aumento significativo nos custos de wafer, estimados em mais de 10% em comparação à tecnologia de 3 nm.
Segundo relatos, o custo de um wafer de N2 pode cair entre US$ 25.000 e US$ 30.000, refletindo as estratégias de preços da TSMC, o que é um aumento notável dos aproximadamente US$ 20.000 para wafers de 3 nm. Além disso, considerando as taxas de rendimento iniciais e os primeiros testes de produção, a produção geral provavelmente será bastante limitada inicialmente, sugerindo uma adoção gradual desse processo avançado.
Deixe um comentário