SK Hynix revela as primeiras amostras HBM4 de 12 camadas do mundo com capacidade de 36 GB e taxa de dados de 2 TB/s, além de demonstrações de 12-Hi HBM3e e SOCAMM

SK Hynix revela soluções de memória de última geração na GTC 2025

A SK Hynix ganhou as manchetes com o anúncio de seus inovadores produtos de memória 12-Hi HBM3E e SOCAMM, juntamente com as primeiras amostras do mundo de memória 12-Hi HBM4. Esses desenvolvimentos vêm como parte do compromisso contínuo da empresa de inovar em soluções de memória de alto desempenho para hardware de computação avançado, particularmente nos setores de IA e data center.

Programadas para serem apresentadas durante o evento GTC 2025, que acontece de 17 a 21 de março em San Jose, Califórnia, as últimas ofertas da We Hynix prometem remodelar o cenário da computação de alto desempenho.

Modelos de memória 12-Hi HBM — Fonte da imagem: SK Hynix

Avanços na tecnologia de memória de IA

Em um mercado cada vez mais competitivo, dominado por gigantes como Samsung e Micron, a We Hynix intensificou seu jogo ao produzir o SOCAMM (Small Outline Compression Attached Memory Module) para os poderosos processadores de IA da NVIDIA. Aproveitando a tecnologia derivada do padrão de memória CAMM, o novo SOCAMM oferece uma solução DRAM de baixo consumo de energia projetada para melhorar significativamente a capacidade de memória e o desempenho para cargas de trabalho de IA.

A parceria com a NVIDIA, particularmente no que diz respeito ao chip GB300 AI, posiciona a We Hynix fortemente em relação aos seus concorrentes, elevando as capacidades de ambas as empresas para lidar com processos intensivos de IA de forma eficiente.

Amostras de memória SK Hynix HBM4 — Fonte da imagem: SK Hynix

Liderança chave presente no GTC 2025

No evento GTC, a equipe executiva da We Hynix apresentará seus últimos avanços, incluindo figuras notáveis como o CEO Kwak Noh-Jung, o presidente Juseon Kim e o chefe global de S&M Lee Sangrak.

A SK Hynix pretende concluir os preparativos para a produção em massa de produtos HBM4 de 12 camadas no segundo semestre do ano, fortalecendo sua posição no mercado de memória de IA de próxima geração.

As amostras de HBM4 de 12 camadas exibidas ostentam a capacidade e a velocidade líderes do setor, cruciais para produtos de memória de IA.

Este produto inovador atinge uma largura de banda capaz de processar mais de 2 terabytes de dados por segundo pela primeira vez, o que equivale à transmissão de mais de 400 filmes full-HD (5 GB cada) em apenas um segundo, superando a velocidade de seu antecessor, HBM3E, em mais de 60%.

Além disso, a We Hynix utiliza o avançado processo MR-MUF para garantir uma capacidade sem precedentes de 36 GB, marcando-a como a mais alta entre os produtos HBM de 12 camadas. Este processo não apenas melhora a estabilidade do produto, mas também alivia a deformação do chip, promovendo melhor dissipação de calor.

Perspectivas futuras: Planos de produção em massa e desenvolvimento

Além de exibir sua memória 12-Hi HBM4 de última geração atualmente em desenvolvimento, a We Hynix planeja atender aos principais clientes, incluindo a NVIDIA, que integrarão essa memória em suas GPUs da série Rubin. A 12-Hi HBM4 está configurada para fornecer até 36 GB por pilha com taxas de dados impressionantes atingindo 2 TB/s.

A produção em massa desta solução de memória avançada está prevista para começar no segundo semestre de 2025, empregando o nó de processo de 3 nm da TSMC para atingir desempenho e eficiência de ponta.

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