A SK Hynix apresenta chips DDR5 de alta velocidade com velocidades nativas de até 7200 MT/s.
A SK Hynix recentemente ganhou destaque no mercado de memórias ao apresentar uma gama de novos chips DDR5 capazes de atingir impressionantes velocidades nativas de 7200 MT/s. Esses avanços foram noticiados em diversas plataformas de comércio eletrônico, indicando que os chips podem estar disponíveis para compra em breve.
Ao examinar esses módulos DDR5, é possível identificar novos números de peça, que atualmente não estão disponíveis no mercado. Isso sugere que a We Hynix está se preparando para um lançamento de produto significativo.




| Número da peça | O | Velocidade | Densidade |
|---|---|---|---|
| H5CG48CKBD-X030 | C-die | 7200 MT/s | 2 GB |
| H5CGD8AKBD-X021 | A-die | 7200 MT/s | 3 GB |
| H5CG58MKBD-X051 | M-die | 7200 MT/s | 4GB |
| H5CC48BKBD-X030 | B-o | 7200 MT/s | 2 GB |
Notavelmente, a We Hynix lançou um novo modelo B-die de 2 Gb, juntamente com um M-die atualizado com capacidade de 4 Gb. A introdução de um M-die de 4 Gb é notável, pois é a primeira vez que esse nó de processo específico apresenta tal densidade. Embora 4 Gb possa parecer menos em comparação com os 16 Gb ou 24 Gb mais comuns, normalmente encontrados em módulos DDR5 de maior capacidade, esses componentes provavelmente foram projetados para configurações DDR5 de alta velocidade e baixa densidade.

É crucial observar que, para que esses módulos de memória RAM DDR5 de alto desempenho alcancem e mantenham tais velocidades — especialmente quando overclockados — eles exigirão pelo menos uma placa de circuito impresso (PCB) de 10 ou 12 camadas. Embora a We Hynix ainda não tenha anunciado formalmente o lançamento no mercado desses chips de memória de 7200 MT/s, as descobertas preliminares confirmam que a empresa está preparada para dar passos significativos no cenário da memória DDR5.
Para obter mais informações sobre este anúncio, consulte a fonte original e as imagens.
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