SK Hynix revela chips de memória DDR5 “A-Die” de 3 Gb de segunda geração com bin AKBD indicando velocidade nativa de 7200 MT/s

Memória A-Die de 3 Gb de segunda geração descoberta no Facebook; pode apresentar velocidade JEDEC nativa de 7200 MT/s

Uma descoberta recente no Facebook revelou a segunda geração de chips de memória A-Die de 3 Gb, identificados pelo rótulo X021 e código de peça “AKBD”.De acordo com informações compartilhadas por @unikoshardware, essa nova designação indica uma sucessão à variante M-Die de 3 Gb existente, que tem sido um elemento básico na alimentação dos primeiros módulos de memória DDR5.

A SK Hynix utiliza uma convenção de nomenclatura sistemática, em que combinações como EB, GB e HB se correlacionam com velocidades JEDEC de 4.800, 5.600 e 6.400 MT/s, respectivamente. Seguindo essa lógica, a introdução da designação “KB” sugere uma velocidade prevista de 7.200 MT/s para a próxima memória, destacando os avanços na tecnologia DDR5.

Chip de memória SK Hynix H5CG08KBD posicionado sobre um teclado. — Crédito da imagem: Facebook

Este desenvolvimento está em sintonia com o roteiro estratégico da Intel, já que os processadores Arrow Lake Refresh e Panther Lake estão programados para suportar velocidades DDR5 de até 7200 MT/s, marcando uma melhoria notável em relação aos padrões atuais DDR5-5600 do Raptor Lake e DDR5-6400 do Arrow Lake. Isso aponta para o potencial dos chips A-Die se tornarem a espinha dorsal dos kits de memória de alto desempenho projetados para CPUs Intel de próxima geração.

No entanto, um usuário levantou um ponto crucial em relação à construção do módulo. O projeto suspeito da placa de circuito impresso de 8 camadas poderia afetar a estabilidade ao operar em velocidades de memória elevadas. Embora estas amostras iniciais da We Hynix apresentem os novos circuitos integrados A-Die, as placas de circuito impresso de 8 camadas normalmente enfrentam desafios para manter a estabilidade além de 8.000 MT/s, principalmente devido a restrições na integridade do sinal e no fornecimento de energia.

Em contraste, kits de RAM DDR5 de alto desempenho frequentemente utilizam PCBs de 10 ou até 12 camadas, que fornecem caminhos de sinal mais claros, essenciais para atingir velocidades de memória mais altas. Entusiastas já demonstraram a capacidade de ultrapassar o limite de 12.000 MT/s, com alguns até ultrapassando oficialmente 13.000 MT/s recentemente. Para que os novos chips A-Die “AKBD” da We Hynix alcancem todo o seu potencial, os fabricantes podem precisar implementar essas tecnologias avançadas de PCB.

Especificação	Detalhes
Tipo de matriz	SK Hynix 3Gb A-Die (2ª geração)
Marcação	X021
Código da peça	AKBD
Velocidade nativa (especulada)	7200 MT/s (JEDEC)
Compatibilidade de plataforma	Atualização do Lago Arrow, Lago Panther