
A SK Hynix anunciou sua intenção de lançar memória GDDR7 de 24 Gb, o que aumentará significativamente a capacidade de VRAM em futuras unidades de processamento gráfico (GPUs).Além disso, a empresa está se preparando para o lançamento de soluções de memória HBM4.
Avanços na Tecnologia de Memória: Iniciativas GDDR7 e HBM4 da Hynix
Em sua última atualização, a We Hynix destacou um trimestre de sucesso, marcado por um aumento nas vendas de seus módulos DRAM 12-Hi HBM3e. A empresa também relatou volumes de remessa de DRAM e flash NAND que superaram as expectativas, contribuindo para um desempenho trimestral robusto.
Um destaque importante deste relatório é o desenvolvimento dos módulos de memória GDDR7 de 24 Gb. Esses novos chips de memória foram projetados não apenas para impulsionar as placas de vídeo de última geração, mas também para fornecer aos clientes focados em IA recursos expandidos de VRAM. Notavelmente, a configuração de 24 Gb (equivalente a 3 GB) oferece um aumento substancial de 50% na capacidade em comparação com os atuais chips de 16 Gb (2 GB).

Além disso, espera-se que o GDDR7 ofereça melhorias impressionantes de velocidade, com taxas de dados de mais de 30 Gbps se tornando a norma à medida que a tecnologia amadurece. Embora a chegada de opções de mais de 40 Gbps possa estar no horizonte, a expansão das capacidades de VRAM representa um avanço significativo.
A Samsung já começou a produzir módulos de memória semelhantes, e alguns já estão à venda online. A próxima série “RTX 50 SUPER” da NVIDIA deverá incorporar essas soluções de memória de alta capacidade, que podem chegar ao mercado ainda este ano ou no início do próximo.
Análise Comparativa de Tecnologias de Memória Gráfica
MEMÓRIA GRÁFICA | GDDR7 | GDDR6X | GDDR6 | GDDR5X |
---|---|---|---|---|
Carga de trabalho | Jogos / IA | Jogos / IA | Jogos / IA | Jogos |
Plataforma (Exemplo) | GeForce RTX 5090 | GeForce RTX 4090 | GeForce RTX 2080 Ti | GeForce GTX 1080 Ti |
Capacidade da matriz (Gb) | 16-64 | 8-32 | 8-32 | 8-16 |
Número de colocações | 12? | 12 | 12 | 12 |
Gb/s/pin | 28-42, 5 | 19-24 | 14-16 | 11.4 |
GB/s/colocação | 128-144 | 76-96 | 56-64 | 45 |
GB/s/sistema | 1536-1728 | 912-1152 | 672-768 | 547 |
Configuração (Exemplo) | 384 IO (pacote com 12 unidades x 32 IO)? | 384 IO (pacote com 12 unidades x 32 IO) | 384 IO (pacote com 12 unidades x 32 IO) | 384 IO (pacote com 12 unidades x 32 IO) |
Buffer de quadro do sistema típico | 24 GB (16 GB) / 36 GB (24 GB) | 24 GB | 12 GB | 12 GB |
Pacote de Módulos | 266 (BGA) | 180 (BGA) | 180 (BGA) | 190 (BGA) |
Potência média do dispositivo (pJ/bit) | A definir | 7, 25 | 7, 5 | 8.0 |
Canal IO típico | PCB (P2P SM) | PCB (P2P SM) | PCB (P2P SM) | PCB (P2P SM) |
A empresa espera que o sólido desempenho de seus produtos e a capacidade de produção em massa ajudem a dobrar a produção de HBM em relação ao ano anterior, gerando lucros estáveis. A empresa também garantirá o fornecimento pontual de HBM4, de acordo com as solicitações dos clientes, para se manter competitiva.
A SK Hynix começará a fornecer um módulo baseado em LPDDR para servidores ainda este ano e se preparará para produtos GDDR7 para GPUs de IA com uma capacidade expandida de 16 Gb de 24 Gb, em uma tentativa de aumentar sua liderança no mercado de memória de IA com diversificação de produtos.

À medida que o padrão HBM4 de próxima geração se prepara para revolucionar o cenário de computação de alto desempenho (HPC) e IA, empresas como NVIDIA e AMD estão prontas para utilizar essas soluções de memória em seus próximos modelos, como as arquiteturas Rubin e MI400. Os fornecimentos iniciais já começaram, com foco em fins de avaliação, indicando um forte impulso para a adoção dessa tecnologia avançada de memória. Um roteiro recente para o HBM ilustra como esses novos padrões se posicionarão em relação às soluções de memória existentes e as mudanças arquitetônicas que podem ocorrer.
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